[發明專利]感光晶體管、其制造方法以及使用感光晶體管的顯示面板有效
| 申請號: | 201210557016.3 | 申請日: | 2012-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN103311358A | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發明(設計)人: | 田尚勛;宋利憲;安承彥 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/113 | 分類號: | H01L31/113;H01L31/0352;H01L31/18;G06F3/042 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 屈玉華 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 感光 晶體管 制造 方法 以及 使用 顯示 面板 | ||
1.一種感光晶體管,包括∶
柵極層;
柵絕緣層,在所述柵極層上;
溝道層,在所述柵絕緣層上;
蝕刻停止層,在所述溝道層的部分區域上;
源極和漏極,在所述溝道層上并彼此分離開,其中所述蝕刻停止層插置在所述源極和所述漏極之間;以及
鈍化層,覆蓋所述源極、所述漏極和所述蝕刻停止層,
其中所述源極與所述蝕刻停止層分離開。
2.如權利要求1所述的感光晶體管,其中所述溝道層的相應于所述源極與所述蝕刻停止層之間的空間的區域具有比溝道層的任何其他區域高的電導率。
3.如權利要求1所述的感光晶體管,其中所述源極和所述漏極由透明電極材料形成。
4.如權利要求1所述的感光晶體管,其中所述源極和所述漏極由金屬材料形成。
5.如權利要求1所述的感光晶體管,其中所述漏極與所述蝕刻停止層分離開。
6.如權利要求5所述的感光晶體管,其中所述溝道層的相應于所述源極與所述蝕刻停止層之間的空間的區域以及所述溝道層的相應于所述漏極與所述蝕刻停止層之間的空間的區域具有比溝道層的任何其他區域高的電導率。
7.如權利要求5所述的感光晶體管,其中所述源極和所述漏極由透明電極材料形成。
8.如權利要求5所述的感光晶體管,其中所述源極和所述漏極由金屬材料形成。
9.如權利要求1所述的感光晶體管,其中所述溝道層由包括從銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、鋁(Al)及其組合中選擇出的至少一個的氧化物形成。
10.如權利要求1所述的感光晶體管,其中所述溝道層由半導體材料形成。
11.一種光學觸摸顯示面板,包括∶
顯示單元,配置為根據圖像信息而在開啟狀態和關閉狀態之間被控制;以及
如權利要求1所述的感光晶體管,其中所述感光晶體管配置為感測入射光。
12.如權利要求11所述的光學觸摸顯示面板,其中所述漏極與所述蝕刻停止層分離開。
13.如權利要求11所述的光學觸摸顯示面板,其中所述源極和所述漏極由透明電極材料形成。
14.如權利要求11所述的光學觸摸顯示面板,其中所述源極和所述漏極由金屬材料形成。
15.如權利要求11所述的光學觸摸顯示面板,其中所述顯示單元包括液晶材料。
16.一種制造感光晶體管的方法,該方法包括∶
在柵極層上順序形成柵絕緣層和溝道層;
在所述溝道層的部分區域上形成蝕刻停止層;
形成導電材料層以完全覆蓋所述溝道層和所述蝕刻停止層;
蝕刻所述導電材料層的部分區域以暴露所述蝕刻停止層,其中所述導電材料層被分離成源極和漏極,所述源極與所述蝕刻停止層分離開形成;以及
形成鈍化層以覆蓋所述源極、所述漏極和所述蝕刻停止層。
17.如權利要求16所述的方法,其中所述導電材料層由透明電極材料形成。
18.如權利要求16所述的方法,其中所述導電材料層由金屬材料形成。
19.如權利要求16所述的方法,其中所述漏極與所述蝕刻停止層分離開。
20.如權利要求16所述的方法,其中所述溝道層由包括從銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、鋁(Al)及其組合中選擇出的至少一個的氧化物形成。
21.如權利要求16所述的方法,其中所述溝道層由半導體材料形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





