[發明專利]像素結構、陣列基板、顯示裝置及像素結構的制造方法在審

申請號：	201210556491.9	申請日：	2012-12-19
公開（公告）號：	CN103885261A	公開（公告）日：	2014-06-25
發明（設計）人：	薛海林;王磊;李月;曹起;薛艷娜	申請（專利權）人：	北京京東方光電科技有限公司
主分類號：	G02F1/1362	分類號：	G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77
代理公司：	北京派特恩知識產權代理有限公司 11270	代理人：	王黎延;任媛
地址：	100176 北京市***	國省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關鍵詞：	像素結構陣列顯示裝置制造方法
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及顯示領域，尤其涉及一種像素結構、陣列基板、顯示裝置及像素結構的制造方法。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，TFT-LCD）具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前平板顯示器市場中占據了主導地位。TFT-LCD主要由對盒的陣列基板和彩膜基板構成，其中陣列基板上形成有柵線（Gate線）、數據線（Data線）、像素電極和薄膜晶體管，每個像素電極由薄膜晶體管控制。當薄膜晶體管導通時，像素電極在導通時間內充電，薄膜晶體管截止后，像素電極電壓將維持到下一次掃描時重新充電。

目前，各大廠商正逐漸將顯示效果更優良的各種廣視角技術應用于移動性產品中，比如IPS（In-Plane?Switching，共面轉換）、AD-SDS（Advanced-SuperDimensional?Switching，高級超維場開關，簡稱為ADS）等廣視角技術。在IPS模式下，通過同一平面內像素電極和公共電極形成水平電場；在ADS模式下，通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與不同層的板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。圖1為現有技術中IPS像素結構的俯視圖，圖2為沿圖1中A-A’線的截面圖，圖3為現有技術中ADS像素結構的俯視圖，圖4為沿圖3中B-B’線的截面圖，可以看出，現有技術普遍采用單柵結構，即一個像素中僅有一個薄膜晶體管，用于連接像素電極，由于薄膜晶體管中漏電極與柵電極之間存在重疊，導致薄膜晶體管存在耦合電容Cgd。在薄膜晶體管截止的瞬間，該耦合電容Cgd上存儲的電荷Qgd發生改變，引起像素電極上的電荷分布發生變化，從而使加載在像素電極上的電壓發生變化，導致像素電極產生跳變電壓ΔVp，而驅動液晶偏轉的電壓是像素電極和公共電極的壓差，由于公共電極的電壓恒定，因此液晶兩端的壓差實際產生了跳變電壓ΔVp，從而會引起畫面閃爍。

另外，在實際生產中，由于工藝和設備的不穩定，使同一母板不同位置處漏電極與柵電極之間的重疊面積大小不均，引起耦合電容Cgd大小不等，造成每個像素電極產生的跳變電壓ΔVp不同，進而造成像素電極電壓的不規則分布，使畫面顯示不均勻，嚴重影響畫面品質。

發明內容

有鑒于此，本發明的主要目的在于提供一種像素結構、陣列基板、顯示裝置及像素結構的制造方法，能夠避免畫面閃爍及畫面顯示不均勻的情況，提高畫面品質。

為達到上述目的，本發明的技術方案是這樣實現的：

一種像素結構，包括：第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、柵線、數據線、公共線、像素電極和公共電極；其中，

所述第一薄膜晶體管的柵極連接柵線，漏極連接像素電極，源極連接數據線，柵線控制所述第一薄膜晶體管導通后，像素電極在所述第一薄膜晶體管導通時間內充電，所述第一薄膜晶體管截止時，像素電極上產生第一跳變電壓；

所述第二薄膜晶體管的柵極連接柵線，漏極連接公共電極，源極連接公共線，柵線控制所述第二薄膜晶體管導通后，公共電極在所述第二薄膜晶體管導通時間內充電，所述第二薄膜晶體管截止時，公共電極上產生第二跳變電壓；

所述第二跳變電壓與所述第一跳變電壓的幅值和方向相同。

所述像素結構的像素電極和公共電極同層設置，像素電極和公共電極分別通過鈍化層上的過孔與第一薄膜晶體管的第一漏極、第二薄膜晶體管的第二漏極連接。

所述像素結構的像素電極和公共電極設置于不同層，所述像素電極直接與第一薄膜晶體管的第一漏極連接，公共電極通過鈍化層上的過孔與第二薄膜晶體管的第二漏極連接。

一種陣列基板，包括上述的像素結構。

一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。