[發明專利]互連線結構及互連線結構的形成方法有效
| 申請號： | 201210556457.1 | 申請日： | 2012-12-19 |
| 公開（公告）號： | CN103050439B | 公開（公告）日： | 2017-10-10 |
| 發明（設計）人： | 李樂 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 互連 結構 形成 方法 | ||
1.一種互連線結構的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有半導體器件；
在所述半導體襯底上形成導電層，所述導電層用于形成金屬互連線結構；
在所述導電層上形成掩模層；
在形成掩模層后，在導電層和導電層上方的掩膜層中形成溝槽，所述溝槽的深寬比范圍大于0.8；
在形成所述溝槽后，沉積金屬間介質層，所述金屬間介質層覆蓋導電層上方的所述掩模層并填充溝槽，在所述溝槽內的金屬間介質層中具有空氣隙。
2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成所述導電層之前，在所述半導體襯底上形成層間介質層。
3.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述層間介質層和金屬間介質層的材料包括低K介質材料或超低K介質材料。
4.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述層間介質層的材料為氧化硅。
5.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述金屬間介質層的材料為氧化硅。
6.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述掩膜層包括硬掩膜層。
7.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述導電層的材料包括鋁或鎢。
8.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成溝槽的方法包括使用光刻、刻蝕工藝。
9.一種互連線結構，其特征在于，包括：
半導體襯底，所述半導體襯底上形成有半導體器件；
位于半導體襯底上的金屬互連線；
位于金屬互連線上的掩模層；
相鄰的金屬互連線和金屬互連線上方的掩膜層之間為溝槽，所述溝槽的深寬比范圍大于0.8；
金屬間介質層，覆蓋掩模層并填充溝槽，在溝槽內的金屬間介質層中具有空氣隙。
10.如權利要求9所述的互連線結構，其特征在于，在所述半導體襯底和金屬互連線之間形成有層間介質層，所述層間介質層覆蓋所述半導體襯底。
11.如權利要求10所述的互連線結構，其特征在于，所述層間介質層和金屬間介質層的材料包括低K介質材料或超低K介質材料。
12.如權利要求9所述的互連線結構，其特征在于，所述金屬間介質層的材料為氧化硅。
13.如權利要求10所述的互連線結構，其特征在于，所述層間介質層的材料為氧化硅。
14.如權利要求9所述的互連線結構，其特征在于，所述掩模層包括硬掩模層。
15.如權利要求9所述的互連線結構，其特征在于，所述金屬互連線的材料包括鋁或鎢。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
