[發(fā)明專利]底柵結構的單掩模自組裝ITO薄膜晶體管的制備工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210556354.5
• 申請日: 2012-12-19
• 公開（公告）號: CN103021866A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設計）人: 郭琳
• 申請（專利權）人: 青島意捷通信技術有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/285
• 代理公司: 北京科億知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

1.一種底柵結構的低壓ITO透明薄膜晶體管的制備工藝，其特征在于，包括：

清潔襯底步驟；

制備柵極步驟，分別用丙酮和乙醇進行超聲波清洗10分鐘，除去硅片上的有機物和油跡，再用去離子水把殘留在硅片上的丙酮和乙醇清洗掉，最后在80℃干燥箱內烘干；

制備絕緣層步驟，把處理好的硅片放入PECVD的真空室內，用機械泵和羅茨泵把真空室的氣壓抽至10Pa以下，通入的反應氣體為氧氣和硅烷，同時通入惰性氣體氬氣作為保護氣體以及電離氣體；

ITO溝道層的沉積步驟，在沉積好介孔Si02的襯底上，采用射頻磁控濺射沉積ITO溝道層，濺射時的本底真空為3×10-3Pa，極限真空為1×10-5Pa，濺射氣體為氧氣和氬氣的混合氣體，其中O2的流量占總氣流的6％至10％，工作氣壓為0.5pa，濺射功率為100W；

源、漏極的制備步驟，用掩模法，采用射頻磁控濺射沉積完成的，濺射時的本底真空為3×10-3Pa，極限濺射氣體為氬氣，工作氣壓為0.5pa，濺射功率為100W。

2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管的制備工藝，其特征在于，上述制備絕緣層步驟、ITO溝道層的沉積步驟以及源、漏極的制備步驟均在室溫下進行。

3.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管的制備工藝，其特征在于，上述絕緣層步驟中，其中硅烷和氧氣的比例為5:18seem，沉積的總氣壓和時間分別為25pa和1小時，射頻功率為150W。