[發(fā)明專利]一種以CuO納米線為模板制備C/Sn@C/C一維復(fù)合納米管的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210556114.5 | 申請日： | 2012-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN102983315A | 公開（公告）日： | 2013-03-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊尊先 | 申請（專利權(quán)）人： | 福州大學(xué) |
| 主分類號： | H01M4/38 | 分類號： | H01M4/38;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 福州元?jiǎng)?chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡學(xué)俊 |
| 地址： | 350001 福*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 cuo 納米 模板 制備 sn 復(fù)合 方法 | ||
1.一種以CuO納米線為模板制備C/SnC/C一維復(fù)合納米管的方法，其特征在于：以CuO納米線為模板生長由外到內(nèi)依次為碳、氧化錫碳復(fù)合材料、碳、氧化銅的納米線，即C/SnO2C/C/CuO復(fù)合納米線，再通過無機(jī)酸選擇性腐蝕去掉CuO納米線模板，隨后再在H2/Ar還原性氣氛中熱處理，最終得到一維由外到內(nèi)依次為碳、錫碳復(fù)合材料、碳的C/SnC/C復(fù)合納米管。
2.??根據(jù)權(quán)利要求1所述的以CuO納米線為模板制備C/SnC/C一維復(fù)合納米管的方法，其特征在于：包括以下步驟：
（1）采用低溫液相化學(xué)法制備出一維CuO納米線；
（2）將一維CuO納米線分散到有機(jī)酸溶液中，室溫下攪拌1-3h后，轉(zhuǎn)移到真空烘箱內(nèi)進(jìn)行熱處理，即得到一維C/CuO復(fù)合納米線；
（3）取1.8-2.1g?SnCl2·2H2O分散到有機(jī)酸溶液中并磁力攪拌，再將一維C/CuO復(fù)合納米線材料分散到其中，轉(zhuǎn)移到水熱反應(yīng)釜后，置于烘箱內(nèi)進(jìn)行熱處理，冷卻至室溫，清洗，干燥，得到由外到內(nèi)依次是氧化錫碳復(fù)合材料、碳、氧化銅的一維SnO2C/C/CuO復(fù)合納米線；
（4）將SnO2C/C/CuO復(fù)合納米線再次分散到有機(jī)酸溶液中，然后轉(zhuǎn)移到水熱反應(yīng)釜后，置于烘箱內(nèi)進(jìn)行熱處理，冷卻至室溫，清洗，干燥，得到一維C/SnO2C/C/CuO復(fù)合納米線。
3.??根據(jù)權(quán)利要求1所述的以CuO納米線為模板制備C/SnC/C一維復(fù)合納米管的方法，其特征在于：所述的無機(jī)酸為鹽酸，濃度為2-6mol/L，腐蝕時(shí)間為1-3h。
4.??根據(jù)權(quán)利要求1所述的以CuO納米線為模板制備C/SnC/C一維復(fù)合納米管的方法，其特征在于：所述的H2/Ar?還原性氣氛中氫氣濃度為4%-100%，熱處理溫度為500-800℃，熱處理時(shí)間為2-4小時(shí)。
5.?根據(jù)權(quán)利要求2所述的以CuO納米線為模板制備C/SnC/C一維復(fù)合納米管的方法，其特征在于：步驟（2）（3）（4）中所述的有機(jī)酸為蘋果酸，濃度為2-4mol/L，所述的熱處理溫度為160-200℃，時(shí)間為3-7h。
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