[發(fā)明專利]通過(guò)施加電流實(shí)現(xiàn)原子力顯微鏡納米沉積的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210555839.2
• 申請(qǐng)日: 2012-12-19
• 公開（公告）號(hào): CN103879955A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 焦念東;劉增磊;劉連慶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院沈陽(yáng)自動(dòng)化研究所
• 主分類號(hào): B82B3/00
• 分類號(hào): B82B3/00;B82Y40/00
• 代理公司: 沈陽(yáng)科苑專利商標(biāo)代理有限公司 21002
• 代理人: 周秀梅;許宗富

1.一種通過(guò)施加電流實(shí)現(xiàn)原子力顯微鏡納米沉積的方法，其特征在于，掃描基底表面以確定加工位置；將AFM導(dǎo)電探針移動(dòng)到加工位置，控制AFM導(dǎo)電探針的針尖和基底接觸或離開基底幾納米距離，通過(guò)在AFM導(dǎo)電探針的針尖和基底之間施加電流并調(diào)節(jié)電流大小和電流作用時(shí)間來(lái)控制沉積點(diǎn)的大小。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通過(guò)施加電流實(shí)現(xiàn)原子力顯微鏡納米沉積的方法，其特征在于，所述AFM導(dǎo)電探針是使用鍍膜設(shè)備在普通AFM探針表面鍍上一層金屬膜而得到的具有導(dǎo)電能力的AFM探針。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通過(guò)施加電流實(shí)現(xiàn)原子力顯微鏡納米沉積的方法，其特征在于，所述控制AFM導(dǎo)電探針的針尖和基底接觸或離開基底幾納米距離通過(guò)以下方式實(shí)現(xiàn)：

使AFM接近基底，通過(guò)設(shè)置AFM逼近基底過(guò)程中懸臂梁的偏轉(zhuǎn)量控制針尖壓入基底的距離，實(shí)現(xiàn)AFM導(dǎo)電探針的針尖與基底接觸或離開基底幾納米距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通過(guò)施加電流實(shí)現(xiàn)原子力顯微鏡納米沉積的方法，其特征在于，所述電流大小和電流作用時(shí)間與沉積點(diǎn)的大小關(guān)系由實(shí)驗(yàn)結(jié)果擬合得出。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通過(guò)施加電流實(shí)現(xiàn)原子力顯微鏡納米沉積的方法，其特征在于，所述電流大小和電流作用時(shí)間由可編程電流源設(shè)定。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通過(guò)施加電流實(shí)現(xiàn)原子力顯微鏡納米沉積的方法，其特征在于，當(dāng)加工納米點(diǎn)陣列時(shí)，通過(guò)控制AFM導(dǎo)電探針的針尖在多個(gè)加工位置沉積加工出納米點(diǎn)，形成納米點(diǎn)陣列。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通過(guò)施加電流實(shí)現(xiàn)原子力顯微鏡納米沉積的方法，其特征在于，當(dāng)加工納米線時(shí)，根據(jù)預(yù)加工納米線的高度，AFM導(dǎo)電探針的針尖運(yùn)動(dòng)速度范圍為10nm/s~1μm/s。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的通過(guò)施加電流實(shí)現(xiàn)原子力顯微鏡納米沉積的方法，其特征在于，當(dāng)加工納米線時(shí)，AFM導(dǎo)電探針的針尖運(yùn)動(dòng)的速度為10nm/s。