[發明專利]一種離子摻雜型電光晶體材料的制備與應用

無效

• 申請號: 201210555832.0
• 申請日: 2012-12-20
• 公開（公告）號: CN103882524A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 山東省科學院新材料研究所
• 主分類號: C30B29/30
• 分類號: C30B29/30;C30B15/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.具有通式M:?KTa_1-xNb_xO₃的電光晶體，晶體組分Nb含量為0.33≤x≤0.?5，居里點位于-15~90°C之間，居里點以上晶體為立方相，m3m點群；居里點以下為四方相，4mm點群。

2.如權利要求1所述的電光晶體，其特征在于M為Fe,?Cu,?Co,?Ni，且摻雜重量百分比為0~0.5?wt?%。

3.一種M:KTa_1-xNb_xO₃晶體的制備方法，以K₂CO₃、Nb₂O₅、Ta₂O₅為原料、CuO、CoO、NiO和Fe₂O₃為摻雜離子，采用提拉法生長，包括如下步驟：（1）根據晶體組分，按照KT-KN固溶體相圖選擇配料，經過兩次燒結，得到M:KTN?多晶料，其中摻雜離子在一次和二次燒結之間加入；（2）在單晶提拉爐中生長晶體；加熱體為白金坩堝，生長氣氛為大氣氣氛；在1150~1250°C化料，在1110~1200°C之間生長晶體，經下種-收頸-放肩-等頸生長等過程，得到M:KTN晶體，生長周期5~10天；（3）晶體生長過程結束后，以適當的降溫速率降至室溫，取出晶體。

4.如權利要求3所述M:KTN晶體的制備方法，其特征在于原料配比K₂CO₃：(Nb₂O₅+Ta₂O₅)按照摩爾比(1.1~1.2):1稱量，摻雜離子氧化物按照原料總質量的0~0.5%加入CuO、CoO、NiO或Fe₂O₃。

5.如權利要求3所述M:KTN晶體的生長方法，其特征在于晶體生長的提拉速度為0.25~0.5毫米/小時，晶轉4~10轉/分鐘。

6.如權利要求3所述M:KTN晶體的生長過程，其特征在于晶體降溫過程中經過居里點時的降溫速率為1~2°C/小時。

7.一種權利要求1所述的M:KTN晶體的應用，其應用溫度范圍為居里點以上1~5°C。