[發(fā)明專利]列修復(fù)電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210555777.5 | 申請日: | 2012-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN103426481B | 公開(公告)日: | 2018-01-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 樸洛圭 | 申請(專利權(quán))人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | G11C17/16 | 分類號: | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司: | 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11363 | 代理人: | 周曉雨,俞波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 修復(fù) 電路 | ||
1.一種半導(dǎo)體存儲裝置的列修復(fù)電路,所述半導(dǎo)體存儲裝置包括多個存儲區(qū)塊,并且執(zhí)行列修復(fù)操作以替換設(shè)置在所述存儲區(qū)塊中的多個存儲器單元之中的故障單元,所述列修復(fù)電路包括:
被配置成執(zhí)行列修復(fù)操作的兩個或更多個熔絲單元,
組合存儲區(qū)塊地址發(fā)生單元,所述組合存儲區(qū)塊地址發(fā)生單元被配置成接收存儲區(qū)塊地址,并且產(chǎn)生以m個存儲區(qū)塊為單元組合而成的第一組合存儲區(qū)塊地址和以n個存儲區(qū)塊為單元組合而成的第二組合存儲區(qū)塊地址,
其中,所述熔絲單元中的每個包括多個熔絲,并且以所述m個存儲區(qū)塊與一個熔絲相對應(yīng)且所述n個存儲區(qū)塊與另一個熔絲相對應(yīng)的方式來配置,其中,m和n是大于或等于1的自然數(shù)并且彼此不同。
2.如權(quán)利要求1所述的列修復(fù)電路,其中,所述熔絲單元包括:
第一熔絲單元,所述第一熔絲單元包括與所述第一組合存儲區(qū)塊地址相對應(yīng)的多個熔絲,并且被配置成根據(jù)基于輸入的列地址的與第一組合存儲區(qū)塊地址相對應(yīng)的熔絲是否被切斷來產(chǎn)生第一冗余列使能信號;以及
第二熔絲單元,所述第二熔絲單元包括與所述第二組合存儲區(qū)塊地址相對應(yīng)的多個熔絲,并且被配置成根據(jù)基于輸入的所述列地址的與選中的第二組合存儲區(qū)塊地址相對應(yīng)的熔絲是否被切斷來產(chǎn)生第二冗余列使能信號。
3.如權(quán)利要求2所述的列修復(fù)電路,其中,所述第一熔絲單元包括:
多個熔絲組,所述多個熔絲組被分配給所述列地址的相應(yīng)比特,其中,所述熔絲組中的每個包括與所述第一組合存儲區(qū)塊地址相對應(yīng)的多個熔絲,并且根據(jù)與選中的所述第一組合存儲區(qū)塊地址相對應(yīng)的熔絲是否被切斷來激活熔絲信號;以及
比較器,所述比較器被配置成將多個熔絲信號與所述列地址進行比較,以產(chǎn)生所述第一冗余列使能信號。
4.如權(quán)利要求2所述的列修復(fù)電路,其中,所述第二熔絲單元包括:
多個熔絲組,所述多個熔絲組被分配給所述列地址的相應(yīng)比特,
其中,所述熔絲組中的每個包括與所述第二組合存儲區(qū)塊地址相對應(yīng)的多個熔絲,并且根據(jù)與選中的所述第二組合存儲區(qū)塊地址相對應(yīng)的熔絲是否被切斷來激活熔絲信號;以及
比較器,所述比較器被配置成將多個熔絲信號與所述列地址進行比較,以產(chǎn)生所述第二冗余列使能信號。
5.如權(quán)利要求2所述的列修復(fù)電路,其中,當所述第一冗余列使能信號被激活時,用冗余列來替換與所述熔絲相對應(yīng)的所述m個存儲區(qū)塊的列。
6.如權(quán)利要求2所述的列修復(fù)電路,其中,當所述第二冗余列使能信號被激活時,用冗余列來替換與所述熔絲相對應(yīng)的所述n個存儲區(qū)塊的列。
7.一種列修復(fù)電路,包括:
組合存儲區(qū)塊地址發(fā)生單元,所述組合存儲區(qū)塊地址發(fā)生單元被配置成接收存儲區(qū)塊地址、根據(jù)將接收到的所述存儲區(qū)塊地址以相鄰的地址進行組合并將組合結(jié)果以相鄰的值再次進行組合的方法來執(zhí)行一個或更多個組合步驟、以及輸出接收到的所述存儲區(qū)塊地址和相應(yīng)的組合步驟的組合結(jié)果作為相應(yīng)步驟的組合存儲區(qū)塊地址;以及
兩個或更多個熔絲單元,每個包括基于列地址的相應(yīng)比特的與所述組合存儲區(qū)塊地址相對應(yīng)的多個熔絲,并且被配置成根據(jù)與選中的組合存儲區(qū)塊地址相對應(yīng)的熔絲是否被切斷來用冗余列替換輸入的所述列地址的相應(yīng)列,
其中,所述熔絲單元中的每個接收在上述方法的任何一個步驟中輸出的組合存儲區(qū)塊地址。
8.如權(quán)利要求7所述的列修復(fù)電路,其中,所述組合存儲區(qū)塊地址發(fā)生單元包括:
緩沖器,所述緩沖器被配置成將所述存儲區(qū)塊地址緩沖,以輸出被緩沖的地址作為第一組合存儲區(qū)塊地址;以及
第一組合部,所述第一組合部被配置成將所述第一組合存儲區(qū)塊地址分成多個組,每個組包括相鄰的地址,以在相應(yīng)的組的第一組合存儲區(qū)塊地址的任何一個被選中時,選擇并輸出第二組合存儲區(qū)塊地址。
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