[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201210555442.3
• 申請日: 2012-12-19
• 公開（公告）號: CN103427831B
• 公開（公告）日: 2018-03-06
• 發明（設計）人: 崔勛
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H03L7/08
• 分類號: H03L7/08
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙)11363
• 代理人: 石卓瓊,郭放

1.一種半導體裝置，包括：

DLL時鐘發生單元，所述DLL時鐘發生單元被配置成將時鐘的相位與反饋時鐘的相位進行比較，確定延遲線的延遲時間，經由所述延遲線將所述時鐘延遲所述延遲時間，以及產生DLL時鐘；

延遲檢測單元，所述延遲檢測單元被配置成檢測所述延遲線的所述延遲時間，并且當所述延遲時間大于或等于預定時間時將延遲檢測信號使能；以及

斷電控制單元，所述斷電控制單元被配置成在斷電模式之下的自刷新操作中，當所述延遲檢測信號被使能時防止所述DLL時鐘發生單元被復位，并且當所述延遲檢測信號被禁止時將所述DLL時鐘發生單元復位。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述DLL時鐘發生單元響應于復位信號而被復位。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述DLL時鐘發生單元包括：

延遲線，所述延遲線被配置成具有與多個延遲控制信號相對應的所述延遲時間，將所述時鐘延遲所述延遲時間，以及產生所述DLL時鐘；

復制器，所述復制器被配置成將所述DLL時鐘延遲并輸出所述反饋時鐘；

相位比較部，所述相位比較部被配置成將所述時鐘的相位與所述反饋時鐘的相位進行比較，并產生比較信號；以及

延遲控制部，所述延遲控制部被配置成響應于所述比較信號而產生所述多個延遲控制信號。

4.如權利要求3所述的半導體裝置，其中，所述延遲檢測單元通過將所述多個延遲控制信號譯碼來產生所述延遲檢測信號。

5.如權利要求4所述的半導體裝置，其中，所述斷電控制單元在斷電模式之下的自刷新操作中，響應于所述延遲檢測信號而產生所述復位信號。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，其中，所述斷電控制單元在時鐘使能信號被禁止且自刷新信號被使能的情況下，當所述延遲檢測信號被使能時將所述復位信號禁止，并且在所述時鐘使能信號被禁止并且自刷新信號被使能的情況下，當所述延遲檢測信號被禁止時將所述復位信號使能。

7.如權利要求5所述的半導體裝置，還包括：

輸出使能信號發生單元，所述輸出使能信號發生單元被配置成響應于所述復位信號而被復位，接收讀取信號以及當經過所述DLL時鐘的預設周期時產生輸出使能信號。

8.一種半導體裝置，包括：

緩沖器，所述緩沖器被配置成將時鐘緩沖并且產生緩沖時鐘；

延遲線，所述延遲線被配置成響應于多個延遲控制信號而確定延遲時間，將所述緩沖時鐘延遲確定的延遲時間以及輸出DLL時鐘；

復制器，所述復制器被配置成將所述DLL時鐘延遲并輸出反饋時鐘；

相位比較部，所述相位比較部被配置成將所述緩沖時鐘的相位與所述反饋時鐘的相位進行比較并產生比較信號；

延遲控制部，所述延遲控制部被配置成響應于所述比較信號而產生所述多個延遲控制信號；

延遲檢測單元，所述延遲檢測單元被配置成響應于所述多個延遲控制信號而產生延遲檢測信號；以及

斷電控制單元，所述斷電控制單元被配置成在斷電模式中，響應于所述延遲檢測信號而將所述緩沖器激活或去激活。

9.如權利要求8所述的半導體裝置，

其中，所述緩沖器響應于緩沖器使能信號而被激活或去激活，以及

其中，當所述緩沖器被激活時，所述緩沖器將所述時鐘緩沖并產生所述緩沖時鐘。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，

其中，所述斷電控制單元在斷電模式中，當所述延遲檢測信號被使能時將所述緩沖器激活，以及

其中，所述斷電控制單元在斷電模式中，當所述延遲檢測信號被禁止時將所述緩沖器去激活。

11.如權利要求10所述的半導體裝置，

其中，所述斷電控制單元在時鐘使能信號被禁止且所述延遲檢測信號被使能時，將所述緩沖器使能信號使能并且將所述緩沖器激活，以及

其中，所述斷電控制單元在所述時鐘使能信號和所述延遲檢測信號被禁止時，將所述緩沖器使能信號禁止并且將所述緩沖器去激活。