[發(fā)明專利]阻變存儲(chǔ)器及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210555373.6
• 申請日: 2012-12-19
• 公開（公告）號(hào): CN103035840A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡一茂;殷士輝;黃如;方亦陳
• 申請（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00;G11C13/00
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;許偉群

1.一種阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，包括底電極、阻變層、頂電極，所述阻變層位于所述底電極之上；所述頂電極位于所述阻變層之上；所述底電極之上設(shè)置有導(dǎo)電突起，所述導(dǎo)電突起嵌在所述阻變層內(nèi)，且所述導(dǎo)電突起頂部寬度小于底部寬度。

2.如權(quán)利要求1所述的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述底電極之上導(dǎo)電突起的兩側(cè)設(shè)置有隔離層，所述隔離層與所述導(dǎo)電突起厚度相同。

3.如權(quán)利要求1或2所述的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述導(dǎo)電突起的頂部的寬度范圍為10nm到30nm。

4.如權(quán)利要求1或2所述的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述導(dǎo)電突起的生長厚度范圍為40nm到60nm。

5.如權(quán)利要求1或2所述的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，形成所述導(dǎo)電突起的材料為下列之一：

Cu、Al、Ti、TiN、Ag、Ni。

6.如權(quán)利要求1或2所述的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，形成所述底電極的材料為下列之一：

Pt、Au。

7.如權(quán)利要求1或2所述的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述阻變層的厚度范圍為70nm到100nm。

8.一種阻變存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成底電極；

在所述底電極上形成頂部寬度小于底部寬度的導(dǎo)電突起；

在所述底電極及所述導(dǎo)電突起上形成阻變層，并使所述導(dǎo)電突起嵌在所述阻變層內(nèi)部；

在所述阻變層上形成頂電極。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述在底電極上形成頂部寬度小于底部寬度的導(dǎo)電突起，包括：

在所述底電極之上淀積活潑導(dǎo)電材料；

對所述活潑導(dǎo)電材料進(jìn)行濕法刻蝕形成頂部寬度小于底部寬度的導(dǎo)電突起。

10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述在底電極上形成頂部寬度小于底部寬度的導(dǎo)電突起，包括：

在所述底電極之上形成隔離層；

在所述隔離層上刻蝕形成用于在所述底電極上形成導(dǎo)電突起的窗口；

在所述導(dǎo)電突起的窗口處淀積活潑導(dǎo)電材料；

以所述隔離層作為停止層對所述活潑導(dǎo)電材料進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光處理；

對所述活潑導(dǎo)電材料進(jìn)行濕法刻蝕形成所述導(dǎo)電突起。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述在所述底電極及所述導(dǎo)電突起上形成阻變層，包括：

在所述底電極及所述導(dǎo)電突起和所述隔離層之上形成第一阻變層；

以所述隔離層作為停止層，對所述第一阻變層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光處理；

在化學(xué)機(jī)械拋光處理后的第一阻變層之上形成第二阻變層。