[發明專利]阻變存儲器及其制備方法

有效

• 申請號: 201210555341.6
• 申請日: 2012-12-19
• 公開（公告）號: CN103035839A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 蔡一茂;毛俊;黃如;王宗巍;劉業帆;余牧溪
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;許偉群

1.一種阻變存儲器，其特征在于，所述阻變存儲器形成于襯底上，所述阻變存儲器包括第一電極、阻變材料和第二電極，所述第一電極、阻變材料和第二電極均生長在所述襯底表面，所述第一電極和所述第二電極相對設置，所述阻變材料位于所述第一電極和所述第二電極之間，且同時與所述第一電極和所述第二電極接觸；所述第一電極與所述襯底的接觸面面積大于所述第一電極與所述阻變材料相接觸的第一接觸面的面積，和/或所述第二電極與所述襯底的接觸面面積大于所述第二電極與所述阻變材料相接觸的第二接觸面的面積。

2.如權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述第一電極、阻變材料和第二電極錯位排列，其中，所述第一電極的第一接觸面的面積小于所述第一電極的第一側面面積，所述第一側面為所述第一接觸面所在的側面，所述第二電極的第二接觸面的面積小于所述第二電極的第二側面面積，所述第二側面為所述第二接觸面所在的側面。

3.如權利要求1或2所述的阻變存儲器，其特征在于，

所述第一電極、阻變材料和第二電極均為長方體。

4.如權利要求1或2所述的阻變存儲器，其特征在于，所述阻變材料、所述第一電極和所述第二電極在所述襯底上的生長厚度均相同且均小于1μm。

5.如權利要求1或2所述的阻變存儲器，其特征在于，所述第一電極和所述第二電極的材料為下列之一：

Pt、Ti、Al。

6.如權利要求1或2所述的阻變存儲器，其特征在于，所述阻變材料的材料為下列之一：

TaO、AlO、HfO。

7.一種阻變存儲器的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底之上淀積電極材料；

刻蝕所述電極材料，形成相互分離且相對設置的第一電極和第二電極；

在所述第一電極和第二電極之間淀積阻變材料；

以所述第一電極和所述第二電極作為停止層，對所述阻變材料進行化學機械拋光處理，形成阻變存儲器，其中，所述阻變材料同時與所述第一電極和所述第二電極接觸；所述第一電極與所述襯底的接觸面面積大于所述第一電極與所述阻變材料相接觸的第一接觸面的面積，和/或所述第二電極與所述襯底的接觸面面積大于所述第二電極與所述阻變材料相接觸的第二接觸面的面積。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，

所述第一電極、阻變材料和第二電極錯位排列，其中，所述第一電極的第一接觸面的面積小于所述第一電極的第一側面面積，所述第一側面為所述第一接觸面所在的側面，所述第二電極的第二接觸面的面積小于所述第二電極的第二側面面積，所述第二側面為所述第二接觸面所在的側面。

9.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一電極和所述第二電極的材料為下列之一：

Pt、Ti、Al。

10.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述阻變材料的材料為下列之一：

TaO、AlO、HfO。