[發明專利]一種EEPROM存儲裝置及其數據存儲方法有效
| 申請號: | 201210554868.7 | 申請日: | 2012-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN103886902B | 公開(公告)日: | 2017-08-04 |
| 發明(設計)人: | 方夢施;嚴秀梅 | 申請(專利權)人: | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/06 | 分類號: | G11C16/06 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙)11201 | 代理人: | 張大威 |
| 地址: | 518118 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 eeprom 存儲 裝置 及其 數據 方法 | ||
技術領域
本發明涉及數據存儲技術領域,尤其涉及一種EEPROM存儲裝置及其數據存儲方法。
背景技術
隨著信息的迅猛增加,存儲技術越來越重要。現有的存儲技術中,嵌入式系統中非易失性存儲器的數據存儲方法是廣泛應用的一種,此方法是按照存儲器中的物理結構將其分為一個以上的段,并給予每個段唯一的編號,再將每個段劃分為一個以上的邏輯塊,在段內給予有效邏輯塊唯一的編號,對存儲器中段的擦除都是循環交替進行的,存儲器中每一段的擦除次數都相同,實現了對存儲器的均勻磨損和斷電保護。上述方法有兩個模塊,一個存儲數據,一個存儲數據地址,并且存在一個空白段,每次上電時通過尋找空白段來尋找上次斷電時存儲的數據。但是,對于某些內部包含EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,電可擦可編程只讀存儲器)結構的特定的芯片,存儲數據時需要先擦除再寫入,并且存儲器中無空白段,無法在上電時尋找到空白段,也就無法尋找到上次斷電時存儲的數據。例如:飛思卡爾的EEPROM,EEPROM內無空白段,若要標記空白段,就得把標記位寫入EEPROM內,如此消耗了存儲器一倍的擦除次數,縮短了芯片的使用壽命。
發明內容
本發明旨在至少解決上述技術的問題之一。
為此,本發明的第一個目的在于提出一種EEPROM存儲裝置,能夠實現斷電保護,充分利用存儲空間,延長存儲裝置的壽命。本發明的另一個目的在于提出一種數據存儲方法。
為了實現上述目的,本發明第一方面的實施例提出一種EEPROM存儲裝置,包括EEPROM芯片,所述EEPROM芯片包括:第一存儲單元,用于存儲第一類數據,其中,所述第一類數據為所述電可擦可編程只讀存儲器EEPROM存儲裝置上次斷電時保存的數據;第二存儲單元,用于存儲第二類數據,其中所述第二類數據為所述第一存儲單元的地址;第三存儲單元,用于存儲第三類數據,其中所述第三類數據為所述第二存儲單元的當前地址;以及,讀取控制單元,用于在所述EEPROM芯片上電之后,根據所述第三類數據在所述第二存儲單元中查找到所述第二類數據,根據所述第二類數據在所述第一存儲單元中查找到所述第一類數據。
根據本發明實施例的EEPROM存儲裝置,通過將EEPROM芯片存儲空間劃分為三個存儲單元,并且其中的一個存儲單元作為固定存儲單元,用于存儲斷電時對應的數據地址,上電時讀取此固定單元中的數據,從而找到斷電時所存儲的數據,實現了斷電數據保護。另外,第一類數據循環存儲在第二存儲單元的一個地址中,實現了數據的循環存儲,充分利用存儲空間。
為了實現上述目的,本發明的第二方面實施例提出一種數據存儲方法,該數據存儲方法基于第一方面實施例提出的EEPROM存儲裝置,包括以下步驟:對所述EEPROM存儲裝置進行上電;判斷是否為首次上電;如果為首次上電,則獲取所述EEPROM芯片的第二存儲單元的一個第二存儲塊的地址作為所述第二存儲單元的當前地址;將所述第二存儲單元的當前地址寫入所述第三存儲單元;以及在所述EEPROM存儲裝置斷電時,將斷電時保存的數據寫入第一存儲單元,并將所述第一存儲單元的當前地址寫入所述第二存儲單元的一個第二存儲塊。
根據本發明實施例的數據存儲方法,通過將EEPROM芯片的存儲空間劃分為三個存儲單元,并將斷電時的數據地址存儲在其中的一個固定存儲單元,上電時通過讀取此固定存儲單元中的數據,從而找到斷電時所存儲的數據,實現了斷電數據保護。另外,將其中數據實時更新的存儲單元中的數據循環存儲在存儲其地址信息的存儲單元的一個地址中,實現了數據的循環存儲,充分利用存儲空間。此外,該方法延長了存儲芯片的壽命。
本發明附加的方面和優點將在下面的描述中部分給出,部分將從下面的描述中變得明顯,或通過本發明的實踐了解到。
附圖說明
本發明上述的和/或附加的方面和優點從下面結合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解,其中,
圖1是根據本發明實施例的EEPROM存儲裝置結構的示意圖;
圖2是根據本發明的一個實施例的EEPROM存儲裝置存儲數據的示意圖;
圖3是根據本發明的一個實施例的EEPROM存儲裝置中第二存儲單元的地址執行自加1后存儲數據的示意圖;
圖4是根據本發明的一個實施例的EEPROM存儲裝置進行讀取數據的示意圖;
圖5是根據本發明實施例的數據存儲方法的流程圖;
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