[發(fā)明專利]一種EEPROM存儲裝置及其數(shù)據(jù)存儲方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210554868.7
• 申請日: 2012-12-19
• 公開（公告）號: CN103886902B
• 公開（公告）日: 2017-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 方夢施;嚴(yán)秀梅
• 申請（專利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11201
• 代理人: 張大威

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種EEPROM存儲裝置及其數(shù)據(jù)存儲方法。

背景技術(shù)

隨著信息的迅猛增加，存儲技術(shù)越來越重要。現(xiàn)有的存儲技術(shù)中，嵌入式系統(tǒng)中非易失性存儲器的數(shù)據(jù)存儲方法是廣泛應(yīng)用的一種，此方法是按照存儲器中的物理結(jié)構(gòu)將其分為一個以上的段，并給予每個段唯一的編號，再將每個段劃分為一個以上的邏輯塊，在段內(nèi)給予有效邏輯塊唯一的編號，對存儲器中段的擦除都是循環(huán)交替進行的，存儲器中每一段的擦除次數(shù)都相同，實現(xiàn)了對存儲器的均勻磨損和斷電保護。上述方法有兩個模塊，一個存儲數(shù)據(jù)，一個存儲數(shù)據(jù)地址，并且存在一個空白段，每次上電時通過尋找空白段來尋找上次斷電時存儲的數(shù)據(jù)。但是，對于某些內(nèi)部包含EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,電可擦可編程只讀存儲器)結(jié)構(gòu)的特定的芯片，存儲數(shù)據(jù)時需要先擦除再寫入，并且存儲器中無空白段，無法在上電時尋找到空白段，也就無法尋找到上次斷電時存儲的數(shù)據(jù)。例如：飛思卡爾的EEPROM，EEPROM內(nèi)無空白段，若要標(biāo)記空白段，就得把標(biāo)記位寫入EEPROM內(nèi)，如此消耗了存儲器一倍的擦除次數(shù)，縮短了芯片的使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決上述技術(shù)的問題之一。

為此，本發(fā)明的第一個目的在于提出一種EEPROM存儲裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)斷電保護，充分利用存儲空間，延長存儲裝置的壽命。本發(fā)明的另一個目的在于提出一種數(shù)據(jù)存儲方法。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第一方面的實施例提出一種EEPROM存儲裝置，包括EEPROM芯片，所述EEPROM芯片包括：第一存儲單元，用于存儲第一類數(shù)據(jù)，其中，所述第一類數(shù)據(jù)為所述電可擦可編程只讀存儲器EEPROM存儲裝置上次斷電時保存的數(shù)據(jù)；第二存儲單元，用于存儲第二類數(shù)據(jù)，其中所述第二類數(shù)據(jù)為所述第一存儲單元的地址；第三存儲單元，用于存儲第三類數(shù)據(jù)，其中所述第三類數(shù)據(jù)為所述第二存儲單元的當(dāng)前地址；以及，讀取控制單元，用于在所述EEPROM芯片上電之后，根據(jù)所述第三類數(shù)據(jù)在所述第二存儲單元中查找到所述第二類數(shù)據(jù)，根據(jù)所述第二類數(shù)據(jù)在所述第一存儲單元中查找到所述第一類數(shù)據(jù)。

根據(jù)本發(fā)明實施例的EEPROM存儲裝置，通過將EEPROM芯片存儲空間劃分為三個存儲單元，并且其中的一個存儲單元作為固定存儲單元，用于存儲斷電時對應(yīng)的數(shù)據(jù)地址，上電時讀取此固定單元中的數(shù)據(jù)，從而找到斷電時所存儲的數(shù)據(jù)，實現(xiàn)了斷電數(shù)據(jù)保護。另外，第一類數(shù)據(jù)循環(huán)存儲在第二存儲單元的一個地址中，實現(xiàn)了數(shù)據(jù)的循環(huán)存儲，充分利用存儲空間。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第二方面實施例提出一種數(shù)據(jù)存儲方法，該數(shù)據(jù)存儲方法基于第一方面實施例提出的EEPROM存儲裝置，包括以下步驟：對所述EEPROM存儲裝置進行上電；判斷是否為首次上電；如果為首次上電，則獲取所述EEPROM芯片的第二存儲單元的一個第二存儲塊的地址作為所述第二存儲單元的當(dāng)前地址；將所述第二存儲單元的當(dāng)前地址寫入所述第三存儲單元；以及在所述EEPROM存儲裝置斷電時，將斷電時保存的數(shù)據(jù)寫入第一存儲單元，并將所述第一存儲單元的當(dāng)前地址寫入所述第二存儲單元的一個第二存儲塊。

根據(jù)本發(fā)明實施例的數(shù)據(jù)存儲方法，通過將EEPROM芯片的存儲空間劃分為三個存儲單元，并將斷電時的數(shù)據(jù)地址存儲在其中的一個固定存儲單元，上電時通過讀取此固定存儲單元中的數(shù)據(jù)，從而找到斷電時所存儲的數(shù)據(jù)，實現(xiàn)了斷電數(shù)據(jù)保護。另外，將其中數(shù)據(jù)實時更新的存儲單元中的數(shù)據(jù)循環(huán)存儲在存儲其地址信息的存儲單元的一個地址中，實現(xiàn)了數(shù)據(jù)的循環(huán)存儲，充分利用存儲空間。此外，該方法延長了存儲芯片的壽命。

本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。

附圖說明

本發(fā)明上述的和/或附加的方面和優(yōu)點從下面結(jié)合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中，

圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的EEPROM存儲裝置結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的EEPROM存儲裝置存儲數(shù)據(jù)的示意圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的EEPROM存儲裝置中第二存儲單元的地址執(zhí)行自加1后存儲數(shù)據(jù)的示意圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的EEPROM存儲裝置進行讀取數(shù)據(jù)的示意圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的數(shù)據(jù)存儲方法的流程圖；