[發明專利]含硅膜的蝕刻裝置

無效

• 申請號: 201210554751.9
• 申請日: 2009-03-04
• 公開（公告）號: CN103035516A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 功刀俊介;佐藤崇
• 申請（專利權）人: 積水化學工業株式會社
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種含硅膜的蝕刻裝置，是對基底膜上層疊了含硅膜的被處理物進行蝕刻的裝置，其特征在于，具有：

將含有氟系反應成分的處理氣體供給于所述被處理物的處理氣體供給體系；和

使所述處理氣體在被處理物上的流速根據蝕刻的進行而發生變化的流速調節機構。

2.根據權利要求1所述的蝕刻裝置，其特征在于，

所述流速調節機構隨著蝕刻的進行而增大所述流速。

3.根據權利要求1所述的蝕刻裝置，其特征在于，

所述流速調節機構隨著蝕刻的進行而階段性地增大所述流速。

4.根據權利要求1所述的蝕刻裝置，其特征在于，

所述流速調節機構直到在所述含硅膜的要蝕刻的部分中的大部分被蝕刻為止使所述流速相對較小，在蝕刻殘留的含硅膜時使所述流速相對較大。

5.根據權利要求1所述的蝕刻裝置，其特征在于，

所述流速調節機構調節所述處理氣體的流量。

6.根據權利要求1所述的蝕刻裝置，其特征在于，

所述處理氣體供給體系包括：

形成大氣壓附近的等離子體空間的等離子體生成部；和

將成為所述氟系反應成分的含有氟系原料且添加了H2O或含OH基的化合物的氟系原料氣體導入所述等離子體空間的原料供給線，

其中，所述流速調節機構在所述原料供給線中混合流速調節用氣體或者停止混合，且根據該流速調節用氣體的流量調節所述流速。

7.根據權利要求1所述的蝕刻裝置，其特征在于，

所述處理氣體供給體系包括：

形成大氣壓附近的等離子體空間的等離子體生成部；和

將成為所述氟系反應成分的含有氟系原料且添加了H2O或含OH基的化合物的氟系原料氣體導入所述等離子體空間的原料供給線，

其中，所述流速調節機構在所述等離子體空間的下游側的處理氣體供給體系中混合流速調節用氣體或者停止混合，且根據該流速調節用氣體的流量調節所述流速。

8.根據權利要求5所述的蝕刻裝置，其特征在于，

所述處理氣體供給體系包括：

將含有所述氟系反應成分的氟系反應氣體供給于所述被處理物的氟系反應氣體供給體系；和

將含有氧化性反應成分的氧化性反應氣體供給于所述被處理物的氧化性反應氣體供給體系，

其中，所述流速調節機構調節所述氧化性反應氣體供給體系的供給氣體流量。

9.一種含硅膜的蝕刻裝置，是對基底膜上層疊了含硅膜的被處理物進行蝕刻的裝置，其特征在于，包括：

多個處理氣體供給體系，其噴出含有氟系反應成分的處理氣體；和

切換機構，其根據蝕刻的進行選擇性地切換將處理氣體吹附至所述被處理物的處理氣體供給體系，

其中，來自所述多個處理氣體供給體系中的至少2個處理氣體供給體系的處理氣體被吹附到被處理物時，在被處理物上的流速互不相同。

10.根據權利要求9所述的蝕刻裝置，其特征在于，

所述切換機構選擇隨著蝕刻的進行所述流速相對較大的處理氣體供給體系。

11.根據權利要求9所述的蝕刻裝置，其特征在于，

所述切換機構直到在所述含硅膜的要蝕刻的部分中的大部分被蝕刻為止選擇所述流速相對較小的處理氣體供給體系，在蝕刻殘留的含硅膜時選擇所述流速相對較大的處理氣體供給體系。

12.根據權利要求9所述的蝕刻裝置，其特征在于，

所述多個處理氣體供給體系中的至少2個處理氣體供給體系的處理氣體的流量互不相同。

13.根據權利要求9所述的蝕刻裝置，其特征在于，

各處理氣體供給體系包括：

形成大氣壓附近的等離子體空間的等離子體生成部；和

將成為所述氟系反應成分的含有氟系原料且添加了H2O或含OH基的化合物的氟系原料氣體導入所述等離子體空間的原料供給線，

其中，至少一個處理氣體供給體系的原料供給線與使流速調節用氣體合流的流速調節用氣體供給部連接。