[發(fā)明專利]一種可降低對(duì)ISM頻段干擾的多級(jí)射頻功率放大器電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210554735.X
• 申請(qǐng)日: 2012-12-17
• 公開（公告）號(hào): CN103066932A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭耀輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣州慧智微電子有限公司
• 主分類號(hào): H03F3/20
• 分類號(hào): H03F3/20;H03F3/189
• 代理公司: 暫無信息
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1.一種可降低對(duì)ISM頻段干擾的多級(jí)射頻功率放大器電路，在多級(jí)射頻功率放大器的級(jí)間設(shè)置一個(gè)或多個(gè)諧振濾波匹配網(wǎng)絡(luò)，該諧振濾波匹配網(wǎng)絡(luò)一方面使得射頻功率放大器的后一級(jí)阻抗匹配到前一級(jí)功率放大管的功率輸出負(fù)載值，同時(shí)應(yīng)用LC諧振網(wǎng)絡(luò)諧振至ISM頻段頻率、和/或射頻頻帶與ISM頻帶的差頻頻率上。

2.如權(quán)利要求1所述的可降低對(duì)ISM頻段干擾的多級(jí)射頻功率放大器電路，其特征在于：采用的電路包括至少兩個(gè)功率放大管，輸入信號(hào)RFin通過電容C1到達(dá)第一級(jí)功率放大管Q1的基極，功率放大管Q1的發(fā)射極接地，集電極通過一個(gè)電感L1連接到集電極電源電壓Vcc，功率放大管Q1的集電極作為第一級(jí)功率放大器電路的輸出端；第一級(jí)功率放大器的輸出端通過級(jí)間匹配網(wǎng)絡(luò)連接到第二級(jí)功率放大管Q2的基極，功率放大管Q2的發(fā)射極接地，集電極通過一個(gè)電感L2連接到電源電壓Vcc，且功率放大管Q2的集電極作為兩級(jí)功率放大器電路的輸出端RFout；級(jí)間匹配網(wǎng)絡(luò)是兩個(gè)倒L網(wǎng)絡(luò)級(jí)聯(lián)，包括四個(gè)電容C2，C3，C4和C5，以及兩個(gè)電感L3和L4。

3.如權(quán)利要求1所述的可降低對(duì)ISM頻段干擾的多級(jí)射頻功率放大器電路，其特征在于：其級(jí)間匹配網(wǎng)絡(luò)的第一個(gè)倒L網(wǎng)絡(luò)的一端連接在Q1的集電極，另一端連接在第二個(gè)倒L網(wǎng)絡(luò)的輸入級(jí)，包括串接在之間的電容C2和并聯(lián)于Q1集電極和地之間的由C4和L3組成的諧振電路；其級(jí)間匹配網(wǎng)絡(luò)的第二個(gè)倒L網(wǎng)絡(luò)的一端連接在第一個(gè)倒L網(wǎng)絡(luò)的輸出級(jí)，另一端連接在Q2的基極，包括串接在之間的電容C3和并聯(lián)于第一個(gè)倒L網(wǎng)絡(luò)的輸出級(jí)和地之間的由C5和L4組成的諧振電路。

4.如權(quán)利要求1所述的可降低對(duì)ISM頻段干擾的多級(jí)射頻功率放大器電路，其特征在于：C4和L3組成的諧振電路的諧振頻率在ISM頻段；C5和L4組成的諧振電路的諧振頻率在射頻信號(hào)與ISM頻段的差頻頻率上。

5.如權(quán)利要求1所述的可降低對(duì)ISM頻段干擾的多級(jí)射頻功率放大器電路中，其特征在于：功率放大器的級(jí)數(shù)大于或等于2。

6.如權(quán)利要求1所述的可降低對(duì)ISM頻段干擾的多級(jí)射頻功率放大器電路中，放大管可以是雙極型晶體管如BJT、GaAs?HBT、SiGe?HBT等，也可以是場效應(yīng)管如CMOS、LDMOS、GaAs?pHEMT，GaN?HEMT等，或是多個(gè)放大管級(jí)聯(lián)(如達(dá)林頓管)或堆疊。

7.如權(quán)利要求1所述的可降低對(duì)ISM頻段干擾的多級(jí)射頻功率放大器電路中，級(jí)間匹配網(wǎng)絡(luò)可以有其他包含兩個(gè)及以上頻率陷波的實(shí)現(xiàn)形式，如兩個(gè)PI型網(wǎng)絡(luò)級(jí)聯(lián)，多個(gè)倒L型網(wǎng)絡(luò)級(jí)聯(lián)等。