[發明專利]一種用于絕緣硅工藝的小尺寸、快速翻轉施密特觸發器電路有效
| 申請號： | 201210554649.9 | 申請日： | 2012-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN103066955A | 公開（公告）日： | 2013-04-24 |
| 發明（設計）人： | 李陽 | 申請（專利權）人： | 廣州慧智微電子有限公司 |
| 主分類號： | H03K3/3565 | 分類號： | H03K3/3565 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 510663 廣東省廣州市高新技術產業*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 絕緣 工藝 尺寸 快速 翻轉 施密特觸發器 電路 | ||
1.一種用于絕緣硅工藝的小尺寸、快速翻轉施密特觸發器電路，它通過采用PMOS/NMOS體控制電路來改變閾值電壓，使由高電平到低電平的輸入跳變和由低電平到高電平的輸入跳變具有不同的翻轉閾值，從而實現施密特觸發器功能，其電路包括兩個PMOS晶體管，兩個NMOS晶體管，以及PMOS/NMOS體控制電路。
2.如權利要求1所述的小尺寸、快速翻轉施密特觸發器電路，其特征在于：兩個PMOS晶體管中一個PMOS晶體管的柵極接輸入端，源極接電源VDD，漏極接級間公共節點；另一個PMOS晶體管的柵極接級間公共節點，源極接電源VDD，漏極接輸出端。
3.如權利要求1所述的小尺寸、快速翻轉施密特觸發器電路，其特征在于：兩個NMOS晶體管中一個NMOS晶體管的柵極接輸入端，源極接地，漏極接級間公共節點；另一個NMOS晶體管的柵極接級間公共節點，源極接地，漏極接輸出端。
4.如權利要求1所述的小尺寸、快速翻轉施密特觸發器電路，其特征在于：PMOS/NMOS體控制電路控制其中一個PMOS晶體管的體區電平和其中一個NMOS晶體管的體區電平。
5.如權利要求1所述的小尺寸、快速翻轉施密特觸發器電路，其特征在于：PMOS/NMOS體控制電路在施密特觸發器的輸入為低電平時，使一個NMOS晶體管的體區電壓為0，一個PMOS晶體管的體區電壓為VDD-Vd，Vd為晶體管死區電壓；在施密特觸發器的輸入為高電平時，使一個NMOS晶體管的體區電壓為Vd，一個PMOS晶體管的體區電壓為VDD。
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