[發明專利]一種多孔低介電常數材料SiCOH薄膜的刻蝕方法

有效

• 申請號: 201210554308.1
• 申請日: 2012-12-19
• 公開（公告）號: CN103000513A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 丁士進;蔣濤;王鵬飛;張衛
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.?一種多孔低介電常數材料SiCOH薄膜的刻蝕方法，其特征在于具體步驟為：

（1）在潔凈的單晶硅片上形成一層多孔SiCOH薄膜，其中薄膜介電常數值為2.2-2.7；

（2）對上述薄膜進行曝光和顯影，形成排列有序的光刻圖案；?

（3）將上述帶圖案的單晶硅片移入反應離子刻蝕腔體中，進行SiCOH薄膜的刻蝕，刻蝕氣體采用由CF₃I、C₄F₈、O₂組成的混合氣體，其中CF₃I流量范圍為?20-60sccm，C₄F₈流量范圍為20-60sccm，氧氣流量范圍為1.2sccm-8sccm；

（4）刻蝕結束后通入流量范圍為400-1000sccm，氣壓為5-10mTorr的氧氣來進行灰化處理，處理持續時間為10-40s。

2.?根據權利要求1所述的多孔低介電常數材料SiCOH薄膜的刻蝕方法，其特征在于：步驟（3）所述刻蝕過程中，調節高頻離子源功率為250W-500W，低頻偏置功率為10-40W。

3.?根據權利要求1所述的多孔低介電常數材料SiCOH薄膜的刻蝕方法，其特征在于：步驟（3）所述刻蝕過程中，保持腔體氣體壓強為2-15mTorr。

4.?根據權利要求1所述的多孔低介電常數材料SiCOH薄膜的刻蝕方法，其特征在于：步驟（4）所述灰化處理過程中，控制高頻離子源功率為100-600W，低頻偏置功率為10-100W。