[發明專利]一種導電膜復配促進劑有效
| 申請號: | 201210554046.9 | 申請日: | 2012-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN103087478A | 公開(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發明(設計)人: | 孫洪日;雷微 | 申請(專利權)人: | 廈門市安多特新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C08L65/00 | 分類號: | C08L65/00;C08L25/06;C08L23/06;C08L29/04;C08L71/00;H01B1/12 |
| 代理公司: | 廈門市誠得知識產權代理事務所(普通合伙) 35209 | 代理人: | 賴開慧 |
| 地址: | 361000 福建省廈門市湖*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 導電 膜復配 促進劑 | ||
技術領域
本發明涉及一種促進劑,尤其涉及一種導電膜復配促進劑。
背景技術
一般來說,聚合物是絕緣體。但有一組特殊的聚合物,即本質導電聚合物(如:EDOT與磺酸衍生物聚合而成的導電聚合物),其導電性介于半導體和金屬之間。近年來興起的,由于兼具金屬和聚合物的性能,很多研究和應用正迅速展開。
現有技術中的導電膜,常與非導電基材結合,使非導體基材具有導電功能,在導電聚合物單體3,4-乙烯二氧噻吩(簡稱:EDOT)與磺酸衍生物的水性分散體中浸入經過前期處理后的非導體基材,再取出后對其進行烘干等工藝處理,從而得到相應的一層導電膜;最后再對附著有導電膜的非導體基材進行各種性能測試。磺酸衍生物通常為聚苯乙烯磺酸鈉,所述導電膜具有半導體和金屬的雙重屬性。這層導電膜需要具備兩個條件:一方面導電膜要牢固且嵌入式的吸附于非導體基材表面,另一方面在附著的基礎上聚合并枝節形成致密的多層級網狀互聯的導電薄膜層,這樣才能保證導電膜附著于印制電路板非導電基材上導電性能、上銅速率、背光及熱應力的測試滿足要求。但由于非導體基材表面粗糙而不均勻,形成的導電膜不致密、不均勻,這就使得這層導電膜吸附于非導體基材微觀表面聯通效果差,結合不牢固,從而導致導電性差、上銅速率不理想、熱應力測試不理想及背光效果差,導致無法真正滿足印制電路板生產的相關性能指標。由導電聚合物單體3,4-乙烯二氧噻吩與磺酸衍生物的水性分散體形成的導電膜,其方塊電阻高達4.0×104~5.0×104Ω/□?,?上銅速率僅為0.5cm/min,成膜鍍銅后背光評級僅為5-6級,熱應力測試效果較差,無法達到印制電路板生產測試的各項技術性能要求。因此,為滿足市場需求,急需開發一種試劑,當其應用于非導體基材上后,能夠形成一層導電膜,使該基材的方塊電阻較低,上銅速率較快,成膜鍍銅后背光評級較高,熱應力測試效果較好,能夠達到印制電路板生產測試的各項技術性能要求。
發明內容
因此,針對以上內容,本發明提供一種導電膜復配促進劑,當其應用于非導體基材上,經過烘干處理后,能夠形成一層導電膜,使該基材的方塊電阻較低,上銅速率較快,成膜鍍銅后背光評級較高,熱應力測試效果較好,能夠達到印制電路板生產測試的各項技術性能要求。
為達到上述目的,本發明是通過以下技術方案實現的:一種導電膜復配促進劑,包括水性分散體,所述水性分散體中含有導電聚合物及磺酸衍生物,所述水性分散體中添加有促進劑。
進一步的改進是:所述促進劑為聚乙烯磺酸鈉、聚乙烯醇、多元胺聚氧乙烯醚表面活性劑、多元醇聚氧丙烯醚表面活性劑中的任意一種或兩種以上的混合物。
進一步的改進是:所述促進劑為聚乙烯醇,其分子量為1~50萬。
進一步的改進是:所述促進劑為聚乙烯磺酸鈉,其分子量為1~50萬。
進一步的改進是:所述促進劑為聚乙烯磺酸鈉與多元胺聚氧乙烯醚表面活性劑的混合物,所述聚乙烯磺酸鈉與多元胺聚氧乙烯醚表面活性劑的質量百分比=(91~96):(4~9)。
進一步的改進是:所述促進劑為聚乙烯磺酸鈉與多元醇聚氧丙烯醚表面活性劑的混合物,所述聚乙烯磺酸鈉與多元醇聚氧丙烯醚表面活性劑的質量百分比為=(91~96):(4~9)。
進一步的改進是:所述促進劑與所述磺酸衍生物的質量百分比=(5~35):(65~95)。
進一步的改進是:所述磺酸衍生物為聚苯乙烯磺酸鈉,其分子量為1~50萬。
通過采用前述技術方案,本發明的有益效果是:本發明通過在含有導電聚合物單體及磺酸衍生物的水性分散體中添加促進劑,使聚合物與非導電基材接觸時,聚合物導電膜與非導電基材表面的濕潤性得到改善,降低了表面張力,從而實現導電膜牢固的嵌入式吸附于非導體基材表面,進一步提高了聚合物導電膜的致密性、均勻性,同時也提高了導電膜與非導體基材表面的結合強度。在導電性方面:導電方塊電阻從4.0×104~5.0×104Ω/□減低到100~200Ω/□;熱應力方面:在有鉛焊料溫度為288℃,浸錫三次,每次10s的條件下,未添加促進劑在浸錫之后其導電膜表面與鍍銅層就開始出現開裂現象;添加促進劑之后,在有鉛焊料288℃,浸錫三次,每次10s的條件下,其導電膜表面與鍍銅層仍不開裂。上銅速率方面從0.50cm/min提高到2.5cm/min;背光測試從6-7級提高到9-10級。
具體實施方式
以下將結合具體實施例來詳細說明本發明的實施方式,借此對本發明如何應用技術手段來解決技術問題,并達成技術效果的實現過程能充分理解并據以實施。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廈門市安多特新材料科技有限公司,未經廈門市安多特新材料科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210554046.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種紫外光固化聚苯胺/Fe3SO4吸波涂層
- 下一篇:一種防臭下水管





