[發(fā)明專利]高精度溫度補(bǔ)償晶體振蕩器系統(tǒng)及其操作方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210553938.7 | 申請日: | 2012-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN103036505A | 公開(公告)日: | 2013-04-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 何超;王洪斌;崔立志;王一民;陳建松 | 申請(專利權(quán))人: | 同方國芯電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H03B5/04 | 分類號: | H03B5/04 |
| 代理公司: | 唐山永和專利商標(biāo)事務(wù)所 13103 | 代理人: | 張云和 |
| 地址: | 064100 河北*** | 國省代碼: | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高精度 溫度 補(bǔ)償 晶體振蕩器 系統(tǒng) 及其 操作方法 | ||
1.一種高精度溫度補(bǔ)償晶體振蕩器系統(tǒng),包括計算機(jī)、電源、溫箱、頻率計、頻標(biāo)、數(shù)模轉(zhuǎn)換單元、數(shù)據(jù)傳輸單元和數(shù)據(jù)顯示單元,其特征在于,所述溫箱內(nèi)部放置有測試控制板;所述計算機(jī)主板插放用于驅(qū)動測試控制板的DIO卡和用于驅(qū)動溫箱、頻率計、電源的GPIB卡;所述頻標(biāo)與頻率計的接口相連;所述數(shù)模轉(zhuǎn)換單元通過數(shù)據(jù)傳輸單元與晶體振蕩器內(nèi)部芯片電連接,控制晶體振蕩器內(nèi)部芯片的數(shù)據(jù)寫入和讀出,所述數(shù)據(jù)顯示單元通過頻率計、電源、溫箱顯示數(shù)據(jù),并將其存儲在計算機(jī)數(shù)據(jù)庫中。
2.如權(quán)利要求1所述的高精度溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的系統(tǒng),其特征在于,所述頻標(biāo)為高精度原子頻標(biāo)。
3.如權(quán)利要求1所述的高精度溫度補(bǔ)償晶體振蕩器系統(tǒng),其特征在于,還包括用于外部設(shè)備互聯(lián)的接口擴(kuò)展模塊。
4.一種如權(quán)利要求1所述高精度溫度補(bǔ)償晶體振蕩器系統(tǒng)的操作方法,按下述步驟進(jìn)行:
a.初始值設(shè)置:設(shè)定溫度補(bǔ)償過程中所需要的參數(shù),包括:標(biāo)稱頻率、頻率溫度穩(wěn)定度、頻率準(zhǔn)確度、溫度范圍、溫箱溫度精度、每個溫度點浸泡時間、電源電壓、五個功能系數(shù);
b.晶體振蕩器地址位的選取:通過DIO卡選取測試控制板上的晶體振蕩器進(jìn)行測試;
c.晶體線性度的計算:選取溫度范圍內(nèi)兩個溫度點,在每個溫度點浸泡10分鐘,讀取頻率,根據(jù)讀取的數(shù)值計算晶體線性度;
d.晶體振蕩器的頻率溫度穩(wěn)定度計算:設(shè)定晶體振蕩器的標(biāo)稱頻率為F1,在25℃±2℃下的頻率為F2,在-40℃-85℃溫度范圍內(nèi),選取多個溫度點進(jìn)行讀取數(shù)據(jù),所讀取數(shù)據(jù)設(shè)定為F3,頻率溫度穩(wěn)定度計算公式如下:(F3-?F2)/?F1;
e.溫度掃描、數(shù)據(jù)提取過程:設(shè)定溫度范圍內(nèi)的某一個溫度點,進(jìn)行數(shù)據(jù)提取,在初始值設(shè)置過程時,系統(tǒng)設(shè)置了五個功能系數(shù),而每個功能系數(shù)又存在一個步長值,數(shù)據(jù)提取的過程中會出現(xiàn)11組數(shù)據(jù):第一組數(shù)據(jù)取決于初始設(shè)定值;第二組數(shù)據(jù)是設(shè)定其余四個功能系數(shù)不變,第一個功能系數(shù)增加一個步長值,讀取數(shù)據(jù);第三組數(shù)據(jù)是設(shè)定其余四個功能系數(shù)不變,第一個功能系數(shù)減少一個步長值,讀取數(shù)據(jù);由此類推,得到其余各組數(shù)據(jù);
f.數(shù)據(jù)寫入:將步驟e中的11組數(shù)據(jù)在整個溫度范圍內(nèi)擬合成11組五階函數(shù)曲線,基于事件驅(qū)動的軟件運用最小二乘法無限逼近出一條最佳曲線,提取此曲線的各次項系數(shù),將各次項系數(shù)轉(zhuǎn)換為電壓信號,通過A/D轉(zhuǎn)換器將電壓信號轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)字量,將數(shù)字量寫入寄存器中,數(shù)字量在芯片寄存器中尋址,得到與其對應(yīng)的補(bǔ)償電壓量,再通過D/A轉(zhuǎn)換形成補(bǔ)償電壓;
g.調(diào)整頻率準(zhǔn)確度:計算機(jī)發(fā)出指令,溫箱運行到25℃±0.3℃,浸泡10分鐘;
h.溫度測試:設(shè)定晶體振蕩器的標(biāo)稱頻率為F1,在-40℃-85℃寬溫度范圍內(nèi)設(shè)置多個溫度點,讀取數(shù)據(jù)F3;選取其中的25℃為參考溫度,讀取數(shù)據(jù)F2;頻率溫度穩(wěn)定度計算公式如下:(F3-?F2)/?F1,提取|(F3-?F2)/?F1|的最大值與0.28ppm比較,大于0.28ppm判定為不合格,小于0.28ppm判定為合格。
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