[發(fā)明專利]雙晶體管非易失性存儲器單元及相關的編程和讀取方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210553733.9 | 申請日： | 2012-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN103681682B | 公開（公告）日： | 2017-08-08 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李德量;柯錦源;王明義 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/11521 | 分類號： | H01L27/11521;H01L27/1156;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孫征 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 雙晶 非易失性存儲器 單元 相關 編程 讀取 方法 | ||
1.一種存儲器器件，包括：
N溝道晶體管，漏極端電連接至字線并且源極端電連接至第一位線；以及
P溝道晶體管，源極端電連接至所述字線并且漏極端電連接至第二位線；
其中，所述N溝道晶體管和所述P溝道晶體管的柵極端電連接并且浮置，所述N溝道晶體管和所述P溝道晶體管的柵極端是共用浮柵，所述共用柵極呈直線型，其中，通過差動讀取，所述柵極端的柵極氧化物的厚度小于50埃。
2.根據權利要求1所述的存儲器器件，其中，所述N溝道晶體管形成在P阱中。
3.根據權利要求1所述的存儲器器件，其中，所述N溝道晶體管形成在P襯底中。
4.一種編程存儲器器件的方法，所述方法包括：
向N溝道晶體管的漏極端以及與所述N溝道晶體管共用浮柵的P溝道晶體管的源極端施加第一電壓；以及
向所述N溝道晶體管的源極端、所述P溝道晶體管的漏極端和所述P溝道晶體管的阱端中的至少一個施加第二電壓；
其中，所述第一電壓比所述第二電壓高出一溝道熱注入編程閾值，.所述N溝道晶體管和所述P溝道晶體管的柵極端是共用浮柵，所述共用柵極呈直線型，其中，所述柵極端的柵極氧化物的厚度小于50埃。
5.根據權利要求4所述的方法，其中，施加所述第二電壓將所述N溝道晶體管的源極端和所述P溝道晶體管的漏極端中的至少一個接地。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述接地為將所述P溝道晶體管的漏極端接地而所述N溝道晶體管的源極端浮置。
7.根據權利要求5所述的方法，其中，所述接地為將所述N溝道晶體管的源極端和所述P溝道晶體管的漏極端接地。
8.根據權利要求4所述的方法，其中，所述溝道熱注入編程閾值在4V至7V的范圍內。
9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述溝道熱注入編程閾值在5.5V至6.5V的范圍內。
10.一種讀取存儲器器件的方法，所述方法包括：
向N溝道晶體管的漏極端以及與所述N溝道晶體管共用浮柵的P溝道晶體管的源極端施加讀取電壓；以及
感測所述N溝道晶體管的源極端處的第一輸出電流和所述P溝道晶體管的漏極端處的第二輸出電流中的至少一個，所述N溝道晶體管和所述P溝道晶體管的柵極端是共用浮柵，所述共用柵極呈直線型，其中，通過差動讀取，所述柵極端的柵極氧化物的厚度小于50埃。
11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述感測為感測所述第一輸出電流和所述第二輸出電流之間的電流差。
12.根據權利要求10所述的方法，其中，所述感測為浮置所述P溝道晶體管的漏極端時感測所述第一輸出電流。
13.根據權利要求10所述的方法，其中，所述感測為浮置所述N溝道晶體管的源極端時感測所述第二輸出電流。
14.根據權利要求10所述的方法，其中，施加所述讀取電壓為施加2V至5V范圍內的所述讀取電壓。
15.根據權利要求14所述的方法，其中，施加所述讀取電壓為施加2.2V至2.8V范圍內的所述讀取電壓。
16.根據權利要求14所述的方法，其中，施加所述讀取電壓為施加3V至3.5V范圍內的所述讀取電壓。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
