[發(fā)明專利]一種耐原子氧的太陽電池電路用互連片的形成方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210553129.6 | 申請日: | 2012-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN103887363A | 公開(公告)日: | 2014-06-25 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王志彬;賀虎;陳萌炯;邢路;朱亞雄;黃三玻;陸劍峰;王訓春;王建立 | 申請(專利權(quán))人: | 上海空間電源研究所 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;C25D7/12;C25D5/14 |
| 代理公司: | 上海航天局專利中心 31107 | 代理人: | 金家山 |
| 地址: | 200245 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 原子 太陽電池 電路 互連 形成 方法 | ||
1.一種耐原子氧的太陽電池電路用互連片的形成方法,其特征在于,包括:提供基材,所述基材為鉬箔;在所述基材表面形成過渡層,所述過渡層為雙層結(jié)構(gòu),包括位于基材表面的鉻層和位于所述鉻層表面的鎳層;在所述過渡層表面形成銀層。
2.依據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐原子氧的太陽電池電路用互連片的形成方法,其特征在于,所述鉬箔的材料是純度在99.5以上的鉬,所述鉬箔的厚度為10μm~30μm。
3.依據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐原子氧的太陽電池電路用互連片的形成方法,其特征在于,還包括:在氮氣環(huán)境下,在壓強為0~100Pa,溫度為700℃條件下,對基材進行2h~3h的高溫退火處理。
4.依據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐原子氧的太陽電池電路用互連片,其特征在于,采用電鍍的方法在所述基材表面形成過渡層。
5.依據(jù)權(quán)利要求4所述的一種耐原子氧的太陽電池電路用互連片,其特征在于,形成過渡層之前還包括:基材用砂紙打磨后,浸在NaOH:Na2CO3:Na2SiO3=3:2:1的脫脂液中進行脫脂處理;脫脂并經(jīng)清洗的基材放入10%的硫酸溶液中進行酸洗活化處理。
6.依據(jù)權(quán)利要求4所述的一種耐原子氧的太陽電池電路用互連片,其特征在于,所述鉻層的厚度為0.2μm~0.5μm。
7.依據(jù)權(quán)利要求4所述的一種耐原子氧的太陽電池電路用互連片,其特征在于,所述鎳層的厚度為0.5μm~2μm。
8.依據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐原子氧的太陽電池電路用互連片,其特征在于,所述銀層的厚度為5μm~10μm。
9.依據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐原子氧的太陽電池電路用互連片,其特征在于,還包括:電鍍銀層完成后,選用苯并三氮唑和石臘為保護劑對互連片試樣進行鈍化處理,常溫鈍化30s~50s后,采用高壓水進行沖洗,最后用吹風筒將表面吹干。
10.依據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐原子氧的太陽電池電路用互連片,其特征在于,還包括:互連片表面吹干后采用機械沖壓的方法得到互連片產(chǎn)品。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





