[發明專利]鰭式場效應晶體管的制作方法

有效

• 申請號: 201210552994.9
• 申請日: 2012-12-18
• 公開（公告）號: CN103871885A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 鄧浩
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供絕緣體上硅襯底，其包括硅基板、位于所述硅基板上方的埋入氧化層及位于所述埋入氧化層上方的頂層硅；

在所述絕緣體上硅襯底上形成硬掩模層圖形；

在所述硬掩模層圖形的兩側形成第一側墻；

以所述第一側墻及硬掩模層圖形為掩模對所述頂層硅進行刻蝕直至露出所述埋入氧化層，以形成倒T型鰭下部，所述倒T型鰭下部與所述第一側墻及硬掩模層圖形形成堆疊結構；

去除所述硬掩模層圖形，在所述硬掩模層圖形所在位置形成開口；

在所述開口內形成倒T型鰭上部，所述倒T型鰭下部與倒T型鰭上部構成倒T型鰭；

去除所述第一側墻之后，形成鰭式場效應晶體管的柵極、源極及漏極。

2.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，在形成所述倒T型鰭下部之后并在去除所述硬掩模層圖形之前，還包括在所述堆疊結構兩側形成第二側墻的步驟。

3.根據權利要求2所述的鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述硬掩模層圖形的材料與所述第一側墻的材料不相同，所述硬掩模層圖形的材料為SiO₂、SiON、SiN或BN，所述第一側墻的材料為SiO₂、SiON、SiN或BN。

4.根據權利要求3所述的鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述硬掩模層圖形的材料與所述第二側墻的材料不相同，所述第二側墻的材料為SiO₂、SiON、SiN或BN。

5.根據權利要求4所述的鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述第一側墻的材料與所述第二側墻的材料不相同。

6.根據權利要求4所述的鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述第一側墻的材料與所述第二側墻的材料相同。

7.根據權利要求2所述的鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述倒T型鰭上部的形成方法為外延生長。

8.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述硬掩模層圖形利用濕法刻蝕去除。

9.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述第一側墻利用濕法刻蝕去除。

10.一種鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供體硅襯底；

在所述體硅襯底上形成硬掩模層圖形；

在所述硬掩模層圖形的兩側形成第一側墻；

以所述第一側墻及硬掩模層圖形為掩模對暴露的體硅襯底進行刻蝕，以去除部分暴露的體硅襯底從而形成倒T型鰭下部，所述倒T型鰭下部與所述第一側墻及硬掩模層圖形形成堆疊結構；

去除所述硬掩模層圖形，在所述硬掩模層圖形所在位置形成開口；

在所述開口內形成倒T型鰭上部，所述倒T型鰭下部與倒T型鰭上部構成倒T型鰭；

去除所述第一側墻之后，形成鰭式場效應晶體管的柵極、源極及漏極。

11.根據權利要求10所述的鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，在形成所述倒T型鰭下部之后并在去除所述硬掩模層圖形之前，還包括在所述堆疊結構兩側形成第二側墻的步驟。

12.根據權利要求11所述的鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述硬掩模層圖形的材料與所述第一側墻的材料不相同，所述硬掩模層圖形的材料為SiO₂、SiON、SiN或BN，所述第一側墻的材料為SiO₂、SiON、SiN或BN。

13.根據權利要求12所述的鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述硬掩模層圖形的材料與所述第二側墻的材料不相同，所述第二側墻的材料為SiO₂、SiON、SiN或BN。

14.根據權利要求13所述的鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述第一側墻的材料與所述第二側墻的材料不相同。

15.根據權利要求13所述的鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述第一側墻的材料與所述第二側墻的材料相同。

16.根據權利要求11所述的鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述倒T型鰭上部的形成方法為外延生長。