[發(fā)明專利]一種In1-xGaxP（0≤x≤1）/Substrate 薄膜材料的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210552750.0
• 申請日: 2012-12-19
• 公開（公告）號(hào): CN103352214A
• 公開（公告）日: 2013-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉興泉;張銘菊
• 申請（專利權(quán)）人: 常州星海電子有限公司
• 主分類號(hào): C23C20/08
• 分類號(hào): C23C20/08
• 代理公司: 常州市維益專利事務(wù)所 32211
• 代理人: 何學(xué)成

1.一種制備In_1-xGa_xP（0≤x≤1）/Substrate薄膜材料的方法，其特征在于：以In₂O₃，Ga₂O₃，P₂O₅以及還原萃取劑為原料，加入與固體原料質(zhì)量50%~100%相當(dāng)?shù)臒o水乙醇，研磨均勻后，用10~15MPa的壓力將其壓成厚度為1~10mm的片材，然后將其放置于反應(yīng)器剛玉坩堝中，用高純氮?dú)獬檎婵眨脫Q到氧氣濃度為ppm級(jí)，然后再用混合氣體抽真空置換1~2次，抽真空至7~13Pa，控制升溫速度在5~10℃/min范圍內(nèi)，反應(yīng)區(qū)加熱升溫至1200℃~1250℃范圍內(nèi),沉積區(qū)加熱升溫至600℃~800℃范圍內(nèi)，恒溫3~4h，其間保持真空度不小于-0.08MPa；當(dāng)反應(yīng)區(qū)溫度達(dá)到預(yù)定溫度后，自然降溫至室溫，充入混合氣體至常壓后，即得到灰黑色的In_1-xGa_xP（0≤x≤1）/Substrate薄膜；

所述的Substrate為：Si、Ge、導(dǎo)電玻璃、不銹鋼、導(dǎo)電陶瓷中的一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備In_1-xGa_xP（0≤x≤1）/Substrate薄膜材料的方法，其特征在于：按摩爾比計(jì)：所述的In︰Ga︰P︰還原萃取劑為0.5︰0.5︰1.0︰8.0。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種制備In_1-xGa_xP（0≤x≤1）/Substrate薄膜材料的方法，其特征在于：所述的還原萃取劑選用：活性炭、氫氣、氫氣-氬氣混合氣及碳?xì)浠衔镏械闹辽僖环N。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備In_1-xGa_xP（0≤x≤1）/Substrate薄膜材料的方法，其特征在于：所述的混合氣體為Ar與H₂的混合氣體，所述的H₂體積占混合氣體總體積的10%~30%。