[發明專利]一種制備InP薄膜材料的方法有效
| 申請號: | 201210552726.7 | 申請日: | 2012-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN103159193A | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發明(設計)人: | 劉興泉;張銘菊 | 申請(專利權)人: | 常州星海電子有限公司 |
| 主分類號: | C01B25/08 | 分類號: | C01B25/08 |
| 代理公司: | 常州市維益專利事務所 32211 | 代理人: | 何學成 |
| 地址: | 213022 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制備 inp 薄膜 材料 方法 | ||
1.一種制備InP薄膜材料的方法,其特征在于:以In2O3,P2O5以及還原萃取劑為原料,加入與固體原料質量50%~100%相當的無水乙醇,研磨均勻后,用10~15MPa的壓力將其壓成厚度為1~10mm的片材,然后將其放置于反應器剛玉坩堝中,用高純氮氣抽真空,置換到氧氣濃度為ppm級,然后再用混合氣體抽真空置換1~2次,抽真空至7~13Pa,控制升溫速度在5~10℃/min范圍內,反應區加熱升溫至1200℃~1250℃范圍內,沉積區加熱升溫至600℃~800℃范圍內,恒溫3~4h,其間保持真空度不小于-0.08MPa;當反應區溫度達到預定溫度后,自然降溫至室溫,充入混合氣體至常壓后,即得到灰黑色的InP薄膜。?
2.根據權利要求1所述的一種制備InP薄膜材料的方法,其特征在于:按摩爾比計:所述的In2O3:P2O5:還原萃取劑為:1.0:1.0:4.0~8.0。?
3.根據權利要求1或2所述的一種制備InP薄膜材料的方法,其特征在于:所述的還原萃取劑選用:活性炭、氫氣、氫氣-氬氣混合氣及碳氫化合物中的至少一種。?
4.根據權利要求1所述的一種制備InP薄膜材料的方法,其特征在于:所述的混合氣體為Ar與H2的混合氣體,所述的H2體積占混合氣體總體積的10%~30%。?
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