[發明專利]超級結器件終端保護結構

有效

• 申請號: 201210552715.9
• 申請日: 2012-12-18
• 公開（公告）號: CN103050539A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 李東升
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種超級結器件終端保護結構，位于N型外延（2）中的終端區（12），環繞包圍超級結器件的元胞區（11），所述終端結構從遠離元胞區（11）方向依次排列P型體環（5）、多個P型溝槽環（3）以及場終止環（6）；所述P型溝槽環（3）是間隔排列且溝槽內填充P型硅形成；多個間隔的P型溝槽環（3）與N型外延（2）之間形成縱向P、N型層的交替排列；所述的P型體環（5）是位于P型溝槽環（3）頂側的外延（2）中；終端P型溝槽環（3）上的外延（2）表面具有非浮空的金屬場板（13），以及浮空的多晶硅場板（8）及（14）；場終止環（6）位于終端區（12）最外圍一圈；元胞區（11）和終端區（12）的交界過渡區處的P型體環（5）至少覆蓋一個P型溝槽環（3）；所述的終端保護結構，其特征在于：所述的非浮空的金屬場板（13）的延伸末端下方的P型溝槽環（3a）、(3b)的寬度大于其他的P型溝槽環(3)，且P型溝槽環（3a）、(3b)之間具有P型體環(5)跨接。

2.如權利要求1所述的超級結器件終端保護結構，其特征在于：所述金屬場板（13）的延伸末端位于P型溝槽環（3a）近元胞區（11）邊緣和P型溝槽環（3b）的遠元胞區（11）邊緣的區間之內。

3.如權利要求1所述的超級結器件終端保護結構，其特征在于：所述的金屬場板下的P型溝槽環（3a）、（3b）的寬度比其他P型溝槽環（3）大5～15%。

4.如權利要求1所述的超級結器件終端保護結構，其特征在于：所述金屬場板（13）延伸末端之外的其他P型溝槽環（3）的頂側有P型體環（5），或者不制作P型體環（5）。

5.如權利要求4所述的超級結器件終端保護結構，其特征在于：當所述金屬場板（13）延伸末端之外的其他P型溝槽環（3）的頂側有P型體環（5）時，P型體環（5）跨接在兩P型溝槽環（3）之間形成整體，或者各自獨立位于P型溝槽環（3）頂側。

6.如權利要求1所述的超級結器件終端保護結構，其特征在于：所述金屬場板（13）延伸末端之外的其他P型溝槽環（3）的頂部有浮空多晶硅場板（8）及（14），或者沒有浮空多晶硅場板（8）及（14）。

7.如權利要求1所述的超級結器件終端保護結構，其特征在于：所述終端區（12）的P型體環（5）是通過過渡區P型體環（5）形成工藝形成，或者是單獨進行P型雜質注入、推進形成。

8.如權利要求1所述的超級結器件終端保護結構，其特征在于：所述P型體環（5）的窗口大小由推進時間決定，注入雜質的劑量為1x10¹³～1x10¹⁵CM^-2。