[發明專利]半導體器件場氧化層的腐蝕方法

無效

• 申請號: 201210552385.3
• 申請日: 2012-12-18
• 公開（公告）號: CN103050395A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 王民濤
• 申請（專利權）人: 深圳深愛半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/3115
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種半導體器件場氧化層的腐蝕方法，包括下列步驟：

對晶圓上的場氧化層的表層進行離子注入，注入氬離子；

對所述晶圓進行阱區光刻；

濕法腐蝕所述場氧化層。

2.根據權利要求1所述的半導體器件場氧化層的腐蝕方法，其特征在于，所述離子注入的氬離子的能量為60~100kev，劑量為1*10¹⁴~1*10¹⁵/平方厘米。

3.根據權利要求1所述的半導體器件場氧化層的腐蝕方法，其特征在于，所述濕法腐蝕的腐蝕劑為氧化層刻蝕緩沖液。

4.根據權利要求3所述的半導體器件場氧化層的腐蝕方法，其特征在于，所述腐蝕劑腐蝕時的溫度為8~12攝氏度。

5.根據權利要求4所述的半導體器件場氧化層的腐蝕方法，其特征在于，所述溫度為10攝氏度。

6.根據權利要求1所述的半導體器件場氧化層的腐蝕方法，其特征在于，所述半導體器件是垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管。

7.根據權利要求1所述的半導體器件場氧化層的腐蝕方法，其特征在于，所述半導體器件是絕緣柵雙極型晶體管。