[發(fā)明專利]一種制備GaAs薄膜材料的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210552365.6 | 申請(qǐng)日： | 2012-12-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103147038A | 公開（公告）日： | 2013-06-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉興泉;張銘菊 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 常州星海電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C23C14/06 | 分類號(hào)： | C23C14/06;C23C14/24;C30B23/02;C30B29/42 |
| 代理公司： | 常州市維益專利事務(wù)所 32211 | 代理人： | 何學(xué)成 |
| 地址： | 213022 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 制備 gaas 薄膜 材料 方法 | ||
1.一種制備GaAs薄膜材料的方法，其特征在于：以Ga2O3，As2O3以及活性炭C為原料，加入與固體原料質(zhì)量50%~100%相當(dāng)?shù)臒o水乙醇，研磨均勻后，用10~15MPa的壓力將其壓成厚度為1~10mm的片材，然后將其放置于反應(yīng)器剛玉坩堝中，用高純氮?dú)獬檎婵眨脫Q到氧氣濃度為ppm級(jí)，然后再用混合氣體抽真空置換1~2次，抽真空至7~13Pa，控制升溫速度在5~10℃/min范圍內(nèi)，反應(yīng)區(qū)加熱升溫至1200℃~1250℃范圍內(nèi),沉積區(qū)加熱升溫至600℃~800℃范圍內(nèi)，恒溫3~4h，其間保持真空度不小于-0.08MPa；當(dāng)反應(yīng)區(qū)溫度達(dá)到預(yù)定溫度后，自然降溫至室溫，充入混合氣體至常壓后，即得到灰黑色的GaAs薄膜。?
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備GaAs薄膜材料的方法，其特征在于：按摩爾比計(jì)：Ga2O3︰As2O3︰C為1.0︰（1.0~1.5）︰（3.0~8.0）。?
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備GaAs薄膜材料的方法，其特征在于：所述的混合氣體為Ar與H2的混合氣體，所述的H2體積占混合氣體總體積的10%~30%。?
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
