[發明專利]一種CMOS圖像傳感器像素陣列及其制造方法有效
| 申請號： | 201210552265.3 | 申請日： | 2012-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN103066086B | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 顧學強;周偉 | 申請（專利權）人： | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吳世華,林彥之 |
| 地址： | 201210 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 cmos 圖像傳感器 像素 陣列 及其 制造 方法 | ||
1.一種CMOS圖像傳感器像素陣列，包括多個像素單元，每個像素單元包括光電二極管以及傳輸晶體管，所述光電二極管基于入射光產生電荷；所述傳輸晶體管柵極將所述光電二極管產生的電荷轉移至其懸浮漏極；其特征在于，
所述多個像素單元的傳輸晶體管懸浮漏極的面積從所述像素陣列的邊緣向中心遞增。
2.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器像素陣列，其特征在于，所述多個像素單元的傳輸晶體管懸浮漏極的面積從所述像素陣列的邊緣向中心線性遞增，且最小面積與最大面積之比為1:1.05～1:2。
3.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器像素陣列，其特征在于，所述多個像素單元的傳輸晶體管柵極面積相同。
4.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器像素陣列，其特征在于，所述多個像素單元的光電二極管面積相同。
5.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器像素陣列，其特征在于，所述像素陣列包括介質層，金屬互連線，濾色層以及微透鏡。
6.一種權利要求1所述的CMOS圖像傳感器像素陣列的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
在半導體襯底上形成多個像素單元的光電二極管；
淀積介質層，并在所述介質層上形成多個傳輸晶體管柵極；
在所述介質層上方形成圖形化的光刻膠層；以及
以所述圖形化的光刻膠層為掩膜進行離子注入，以形成所述多個傳輸晶體管的懸浮漏極，且所述多個傳輸晶體管的懸浮漏極的面積從所述像素陣列的邊緣向中心遞增。
7.根據權利要求6所述的CMOS圖像傳感器像素陣列的制造方法，其特征在于，所述多個像素單元的傳輸晶體管懸浮漏極的面積從所述像素陣列的邊緣向中心線性遞增，且最小面積與最大面積之比為1:1.05～1:2。
8.根據權利要求6所述的CMOS圖像傳感器像素陣列的制造方法，其特征在于，還包括在所述介質層上方淀積層間介質，形成金屬互連線，濾色層及微透鏡的步驟。
9.根據權利要求6所述的CMOS圖像傳感器像素陣列的制造方法，其特征在于，所述圖形化的光刻膠層具有多個間隙，且所述多個間隙的面積從所述像素陣列的邊緣向中心遞增。
10.根據權利要求9所述的CMOS圖像傳感器像素陣列的制造方法，其特征在于，所述間隙的位置與所述傳輸晶體管柵極的位置具有間距或部分重疊。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
