[發明專利]改善晶圓翹曲度的方法

有效

• 申請號: 201210552256.4
• 申請日: 2012-12-18
• 公開（公告）號: CN103871837A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 程晉廣
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種改善晶圓翹曲度的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、準備具有不同熱脹系數的貼膜材料，所述貼膜材料能夠包括多種，每一種所述貼膜材料在一系列的環境溫度變化下提供不同的張力；

步驟二、在室溫下對翹曲晶圓進行曲率測試得到所述晶圓的翹曲度；

步驟三、根據所述晶圓的翹曲度選擇所述貼膜材料的種類以及所選擇的貼膜材料所對應的貼膜環境溫度；

步驟四、將貼膜環境、所選擇的所述貼膜材料及所述晶圓的溫度都升高到所述貼膜環境溫度；

步驟五、在所述貼膜環境溫度下，將所選的所述貼膜材料貼到所述晶圓背面表面上；

步驟六、將貼膜后的所述晶圓冷卻至室溫，使室溫時所述晶圓的表面平整；

步驟七、在所述晶圓上完成器件工藝；

步驟八、器件工藝完成后將所述貼膜材料去除。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟一中所述貼膜材料有機的、高分子的具有不同熱脹系數的材料。

3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述貼膜材料為藍膜。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟四中所述貼膜環境為一作業腔。

5.如權利要求1或4所述的方法，其特征在于：所述貼膜環境溫度為-200℃～200℃。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟三中所述晶圓的翹曲度、所述貼膜材料和所述貼膜環境溫度的關系通過實驗確定。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟七中所述器件工藝包括光刻工藝、劃片工藝。