[發(fā)明專利]形成介電薄膜的組合物、形成介電薄膜的方法及通過所述方法形成的介電薄膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210552098.2 | 申請日： | 2012-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN103177797B | 公開（公告）日： | 2017-10-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 渡邊敏昭;櫻井英章;曽山信幸;紀(jì)堯姆·蓋岡 | 申請（專利權(quán)）人： | 三菱綜合材料株式會社;意法半導(dǎo)體公司 |
| 主分類號： | H01B3/02 | 分類號： | H01B3/02;H01B19/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11018 | 代理人： | 康泉,王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 形成 薄膜 組合 方法 通過 | ||
1.一種用于形成介電薄膜的組合物，所述介電薄膜為鈦酸鍶鋇介電薄膜，所述用于形成介電薄膜的組合物包括：
用于形成薄膜的混合的復(fù)合金屬氧化物形式的液體組合物，其中，所述復(fù)合金屬氧化物由包含銅(Cu)的復(fù)合氧化物B和包含錳(Mn)的復(fù)合氧化物C混合到由通式Ba1-xSrxTiyO3表示的復(fù)合金屬氧化物A中而形成，在該通式中，0.2＜x＜0.6，并且0.9＜y＜1.1；其中，
所述液體組合物由有機(jī)金屬化合物溶液組成，其中，用于組成所述復(fù)合金屬氧化物A的原料、用于組成所述復(fù)合氧化物B的原料和用于組成所述復(fù)合氧化物C的原料溶于有機(jī)溶劑中，其中用于組成所述復(fù)合金屬氧化物A的原料以得到上述通式中表明的金屬原子比的比例溶于有機(jī)溶劑中，所述復(fù)合氧化物B與所述復(fù)合金屬氧化物A的摩爾比B/A在0.002＜B/A＜0.05的范圍內(nèi)，并且所述復(fù)合氧化物C與所述復(fù)合金屬氧化物A的摩爾比C/A在0.002＜C/A＜0.03的范圍內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的形成介電薄膜的組合物，其中，用于組成所述復(fù)合金屬氧化物A的原料為一種化合物，在所述化合物中，有機(jī)基團(tuán)通過它的氧原子或氮原子連接至金屬元素。
3.如權(quán)利要求2所述的形成介電薄膜的組合物，其中，用于組成所述復(fù)合金屬氧化物A的原料為選自由金屬醇鹽、金屬二醇復(fù)合物、金屬三醇復(fù)合物、金屬羧酸鹽、金屬-β-二酮酸鹽復(fù)合物、金屬-β-二酮酯復(fù)合物、金屬-β-亞氨基酮復(fù)合物和金屬-氨復(fù)合物組成的組中的至少一種化合物。
4.如權(quán)利要求1所述的形成介電薄膜的組合物，其中，用于組成所述復(fù)合氧化物B的原料為一種化合物，在所述化合物中，有機(jī)基團(tuán)通過它的氧原子或氮原子連接至元素銅(Cu)。
5.如權(quán)利要求4所述的形成介電薄膜的組合物，其中，用于組成所述復(fù)合氧化物B的原料為選自由羧酸鹽化合物、硝酸鹽化合物、醇鹽化合物、二醇化合物、三醇化合物、β-二酮酸鹽化合物、β-二酮酯化合物、β-亞氨基酮化合物和氨化合物組成的組中的至少一種化合物。
6.如權(quán)利要求5所述的形成介電薄膜的組合物，其中，所述羧酸鹽化合物為環(huán)烷酸銅、正辛酸銅、2-乙基己酸銅、正庚酸銅、正己酸銅、2-乙基丁酸銅、正戊酸銅、異戊酸銅、正丁酸銅、異丁酸銅或丙酸銅。
7.如權(quán)利要求5所述的形成介電薄膜的組合物，其中，所述硝酸鹽化合物為硝酸銅。
8.如權(quán)利要求1所述的形成介電薄膜的組合物，其中，用于組成所述復(fù)合氧化物C的原料為一種化合物，在所述化合物中，有機(jī)基團(tuán)通過它的氧原子或氮原子連接至元素錳(Mn)。
9.如權(quán)利要求8所述的形成介電薄膜的組合物，其中，所述用于組成所述復(fù)合氧化物C的原料為選自由羧酸鹽化合物、硝酸鹽化合物、醇鹽化合物、二醇化合物、三醇化合物、β-二酮酸鹽化合物、β-二酮酯化合物、β-亞氨基酮化合物和氨化合物組成的組中的至少一種化合物。
10.如權(quán)利要求1至9的任一項(xiàng)所述的形成介電薄膜的組合物，進(jìn)一步包含選自由β-二酮、β-酮酸、β-酮酯、含氧酸、二醇、三醇、高級羧酸、烷烴醇胺和多價(jià)胺組成的組中的至少一種穩(wěn)定劑，所述穩(wěn)定劑與所述組合物中金屬的總量的比為0.2～3摩爾比1摩爾。
11.如權(quán)利要求1至9的任一項(xiàng)所述的形成介電薄膜的組合物，其中，所述復(fù)合氧化物B與所述復(fù)合金屬氧化物A的摩爾比B/A為0.003≤B/A≤0.03。
12.如權(quán)利要求1至9的任一項(xiàng)所述的形成介電薄膜的組合物，其中，所述復(fù)合氧化物C與所述復(fù)合金屬氧化物A的摩爾比C/A為0.003≤C/A≤0.02。
13.一種形成介電薄膜的方法，包括步驟：
重復(fù)在耐熱基材上涂覆并干燥根據(jù)權(quán)利要求1～12的任一項(xiàng)所述的形成介電薄膜的組合物的步驟直至獲得期望厚度的膜，然后在空氣、氧化氣氛或包含水蒸氣的氣氛中，在等于或高于結(jié)晶溫度的溫度下焙燒所述膜。
14.一種用如權(quán)利要求13所述的方法形成的包含銅和錳的鈦酸鍶鋇介電薄膜。
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