[發明專利]表面鍍膜結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201210552092.5
• 申請日: 2012-12-18
• 公開（公告）號: CN103872148A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 鄭金祥;江雨龍;郭泰照;吳信賢;陳剛毅;鄭宗杰
• 申請（專利權）人: 鄭金祥
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種表面鍍膜結構，適用于太陽熱能發電的高溫熱能吸收，

其特征在于，該表面鍍膜結構依次包括：

一基板；

一緩沖中介層，覆蓋在該基板上；

一吸收層，覆蓋在該緩沖中介層上，該吸收層吸收并轉換太陽光成為一熱能，其中該緩沖中介層緩沖該熱能引起的該基板與該吸收層的熱膨脹；以及

一抗反射層，覆蓋在該吸收層上。

2.如權利要求1所述的表面鍍膜結構，其特征在于，該基板的熱傳導系數為30W/m.K至430W/m.K。

3.如權利要求1所述的表面鍍膜結構，其特征在于，該緩沖中介層的材質為多孔硅、金屬氧化物、金屬硅化物或是多孔性金屬。

4.如權利要求1所述的表面鍍膜結構，其特征在于，該吸收層是一立體多孔狀陷光結構。

5.如權利要求4所述的表面鍍膜結構，其特征在于，該吸收層的材質為奈米晶硅、多晶硅、微晶硅、奈米、多晶或微晶硅基材料、奈米晶鍺、多晶鍺或微晶鍺。

6.如權利要求1所述的表面鍍膜結構，其特征在于，該抗反射層的折射率小于該吸收層。

7.如權利要求6所述的表面鍍膜結構，其特征在于，該抗反射層為單一折射率的均質層。

8.如權利要求6所述的表面鍍膜結構，其特征在于，該抗反射層為一折射率漸變的材質層。

9.如權利要求6所述的表面鍍膜結構，其特征在于，該抗反射層包含至少相異折射率的兩均質內層。

10.如權利要求9所述的表面鍍膜結構，其特征在于，該抗反射層的太陽光吸收頻帶為該兩均質內層的太陽光吸收頻帶的總和。

11.一種表面鍍膜結構的制造方法，其特征在于，其包括下列步驟：

提供一基板；

形成一緩沖中介層覆蓋在該基板上；

形成一吸收層覆蓋在該緩沖中介層上，該吸收層吸收并轉換太陽光成為一熱能，其中該緩沖中介層緩沖該熱能引起的該基板與該吸收層的熱膨脹；以及

形成一抗反射層，覆蓋在該吸收層上。

12.如權利要求11所述的表面鍍膜結構的制造方法，其特征在于，形成該吸收層的方法包括下列步驟：

利用電漿增強化學氣相沉積法或物理氣相沉積法在該緩沖中介層上長出一硅基材質層或一鍺基材質層；

進行一退火程序，將該硅基材質層或鍺基材質層轉換為多晶硅層、微晶硅層、多晶鍺層或微晶鍺層；以及

以一濕式蝕刻法或一干式蝕刻法處理該吸收層表面，以形成一立體多孔狀陷光結構。

13.如權利要求11所述的表面鍍膜結構的制造方法，其特征在于，形成該吸收層的方法包括下列步驟：

利用電漿增強化學氣相沉積法或物理氣相沉積法在該緩沖中介層上長出一硅基材質層或一鍺基材質層；

以一濕式蝕刻或一干式蝕刻處理該吸收層表面，以形成一立體多孔狀陷光結構；以及

進行一退火程序，將該硅基材質層或鍺基材質層轉換為多晶硅層、微晶硅層、多晶鍺層或微晶鍺層。

14.如權利要求11所述的表面鍍膜結構的制造方法，其特征在于，形成該抗反射層的方法包含下列步驟：

利用電漿增強化學氣相沉積或物理氣相沉積在該吸收層上長出一非晶形材質層，其中該吸收層與貼合其上的該非晶形材質層共同構成一立體多孔狀陷光結構；以及

進行一退火程序，將該非晶形材質層轉換為對應的一多晶材質層或微晶材質層。

15.如權利要求12、13或14所述的表面鍍膜結構的制造方法，其特征在于，該退火程序為固相結晶法、雷射結晶法或金屬誘發結晶法。