[發(fā)明專利]一種對納米圖形進行紫外清洗的裝置及方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210551939.8
• 申請日: 2012-12-18
• 公開（公告）號: CN102974573A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙士瑞;景玉鵬;于明巖;郭曉龍;徐昕偉
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: B08B7/00
• 分類號: B08B7/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種對納米圖形進行紫外清洗的裝置，其特征在于，該裝置包括：

反應(yīng)腔室(1)；

設(shè)置于腔室(1)內(nèi)部頂端的紫外燈(2)；

設(shè)置于腔室(1)內(nèi)部用來固定待清洗硅片(5)的托盤(4)；

設(shè)置于托盤(4)下方的加熱管(3)；

設(shè)置于腔室(1)底部且連接于托盤(4)用來帶動托盤(4)轉(zhuǎn)動使硅片清洗均勻的電機(6)；以及

反應(yīng)腔室(1)外部的控制面板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對納米圖形進行紫外清洗的裝置，其特征在于，所述反應(yīng)腔室(1)為隔熱腔室，反應(yīng)腔室(1)與該裝置的外殼之間使用石棉隔開。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的對納米圖形進行紫外清洗的裝置，其特征在于，在所述反應(yīng)腔室(1)的一側(cè)，設(shè)置有抽真空孔和充氧氣孔，抽真空孔通過抽真空導(dǎo)管與外部抽真空裝置連通，充氧氣孔通過充氧氣導(dǎo)管與外部氧源連通。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的對納米圖形進行紫外清洗的裝置，其特征在于，所述反應(yīng)腔室(1)提供了一個密閉的清洗空間，反應(yīng)生成的雜質(zhì)通過對該反應(yīng)腔室(1)抽真空孔而排出；在使用該裝置對納米圖形進行紫外清洗時，是先通過抽真空孔將反應(yīng)腔室(1)內(nèi)部抽為真空，然后再通過充氧氣孔向反應(yīng)腔室(1)內(nèi)部充入氧氣。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對納米圖形進行紫外清洗的裝置，其特征在于，所述紫外燈(2)用于提供清洗硅片的能量來源，采用一個或多個紫外燈管。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的對納米圖形進行紫外清洗的裝置，其特征在于，若是采用多個紫外燈管，將該多個紫外燈管并排設(shè)置于反應(yīng)腔室(1)內(nèi)部的頂端。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對納米圖形進行紫外清洗的裝置，其特征在于，所述托盤(4)連接于電機(6)，用于讓固定在托盤(4)上的待清洗硅片(5)在紫外燈(2)下旋轉(zhuǎn)，從而提高清洗的均勻性。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的對納米圖形進行紫外清洗的裝置，其特征在于，所述托盤(4)的尺寸為2寸、4寸、8寸或12寸。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對納米圖形進行紫外清洗的裝置，其特征在于，所述加熱管(3)用以控制待清洗硅片(5)表面的反應(yīng)溫度，從而控制反應(yīng)速率。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的對納米圖形進行紫外清洗的裝置，其特征在于，所述加熱管(3)采用環(huán)形石英管，且該環(huán)形石英管與溫度控制裝置(9)相連，以控制反應(yīng)腔室(1)內(nèi)部的溫度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對納米圖形進行紫外清洗的裝置，其特征在于，在該控制面板上設(shè)置有溫度顯示窗口(7)、定時裝置(8)、溫度控制裝置(9)、紫外燈開關(guān)(10)及加熱管與電機開關(guān)(11)，其中：

溫度顯示窗口(7)，用以顯示反應(yīng)時反應(yīng)腔室(1)的溫度；

定時裝置(8)，用于在設(shè)定的時間結(jié)束時啟動紫外燈開關(guān)(10)和加熱管與電機開關(guān)(11)，關(guān)閉紫外燈(2)、加熱管(3)與電機(6)；

溫度控制控制裝置(9)，用于設(shè)定反應(yīng)腔室的溫度，通過與反應(yīng)腔室內(nèi)安裝的熱電偶測量得到的溫度相比較，如果達到設(shè)定溫度則關(guān)閉加熱管，如果低于設(shè)定溫度則打開加熱管進行加熱，從而實現(xiàn)對反應(yīng)腔室(1)內(nèi)溫度的控制；

紫外燈開關(guān)(10)，用以控制紫外燈(2)的開關(guān)；

加熱管與電機開關(guān)(11)，用以控制加熱管(3)和電機(6)的開啟和關(guān)閉。

12.一種利用權(quán)利要求1至11中任一項所述的裝置對納米圖形進行紫外清洗的方法，其特征在于，該方法包括：

步驟1：將帶有光刻膠圖形的硅片固定在紫外清洗裝置的托盤上；

步驟2：對裝置抽真空，待裝置抽真空結(jié)束后，向裝置中充入氧氣；

步驟3：打開電源開關(guān)并設(shè)置清洗溫度及時間；

步驟4：打開加熱管與電機，待反應(yīng)腔室內(nèi)達到設(shè)置的清洗溫度后，打開紫外燈，此時清洗時間開始計時；

步驟5：計時完成，清洗過程結(jié)束，取出硅片。