[發明專利]一種基于注入距離的電流源模型的建立方法

無效

• 申請號: 201210551771.0
• 申請日: 2012-12-18
• 公開（公告）號: CN102982216A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 李磊;周婉婷
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 周永宏

1.一種基于注入距離的電流源模型的建立方法，具體步驟如下：

S1.根據注入離子的種類，確定注入離子的線性傳輸能量；

S2.設定需要評估的注入距離；

S3.根據步驟S1得到的注入離子的線性傳輸能量和S2中設定的注入距離，得到注入電流表示式。

2.根據權利要求1所述的電流源模型的建立方法，其特征在于，步驟S3所述的注入電流表示式具體為：

Ip(t)=2ζQLddepDn,pπ(4Dat)3/2{(ds)exp[-(ds)2(4Dat)]+(ds+zs)exp[-(ds+zs)2(4Dat)]},]]>其中，Q_L=10(LET)，LET為步驟S1得到的線性傳輸能量，ζ為器件收集電荷的雙極性放大系數，d_s為步驟S2設定的注入距離，d_dep為收集電荷的深度，z_s為調整參數，D_n,p為載流子的擴散率，D_n表示電子的擴散率，D_p表示空穴的擴散率，t為時間變量。