[發明專利]畫素結構的制造方法以及導體結構的制造方法

有效

• 申請號: 201210550593.X
• 申請日: 2012-12-18
• 公開（公告）號: CN103000532A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 高金字;呂雅茹;吳國偉;歐陽志升
• 申請（專利權）人: 福建華映顯示科技有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學俊

1.?一種畫素結構的制造方法，其特征在于：包括：

于一基板上形成一閘極、一絕緣層以及一通道層，其中該絕緣層覆蓋該閘極，該通道層配置于該絕緣層上且對應該閘極設置；

于該基板上形成一第一導體層，該第一導體層覆蓋該絕緣層以及該通道層；

于該第一導體層上形成一第一圖案化光阻層，該第一圖案化光阻層覆蓋部分該第一導體層，且暴露出該第一導體層的一第一部分，該第一圖案化光阻層具有由該第一圖案化光阻層的側面往內部延伸一段距離的一第一邊緣區；

以該第一圖案化光阻層為罩幕，對該第一導體層進行一等向性移除制程以形成一第一圖案化導體層，其中該等向性移除制程移除該第一導體層的該第一部分以暴露出該通道層的一第一表面區，該等向性移除制程移除位于該第一邊緣區下方的該第一導體層的一第二部分以暴露出該通道層的一第二表面區，并于該第一邊緣區的該第一圖案化光阻層與該通道層之間形成一斷差；

形成一第二導體層，該第二導體層在該斷差自斷開而包括覆蓋于該第一圖案化光阻層的一剝除部分以及位于該第一表面區上的一保留部分；以及

移除該第一圖案化光阻層以及覆蓋于該第一圖案化光阻層的該剝除部分且保留位于該第一表面區上的該保留部分以形成一第二圖案化導體層，其中該第一圖案化導體層與該第二圖案化導體層之間具有一間隙，且該間隙暴露出該第二表面區。

2.?根據權利要求1所述的畫素結構的制造方法，其特征在于：更包括于移除該第一導體層的該第一部分而暴露出該通道層的該第一表面區時，同時暴露出該通道層的一側面，且在形成該第二圖案化導體層后，該第二圖案化導體層覆蓋該第一表面區以及該通道層的該側面。

3.?根據權利要求1所述的畫素結構的制造方法，其特征在于：其中該第一圖案化導體層包括一源極，該第二圖案化導體層包括一汲極。

4.?根據權利要求3所述的畫素結構的制造方法，其特征在于：其中該第二圖案化導體層更包括一畫素電極，該畫素電極與該汲極電性連接。

5.?根據權利要求1所述的畫素結構的制造方法，其特征在于：其中該第一圖案化導體層包括一汲極，該第二圖案化導體層包括一源極。

6.?根據權利要求1所述的畫素結構的制造方法，其特征在于：更包括形成一畫素電極，該畫素電極與該第一圖案化導體層或該第二圖案化導體層電性連接。

7.?根據權利要求1所述的畫素結構的制造方法，其特征在于：更包括在形成該第一導體層之前形成一歐姆接觸層，該歐姆接觸層位于該通道層與該第一圖案化導體層之間。

8.?根據權利要求1所述的畫素結構的制造方法，其特征在于：其中該等向性移除制程包括一濕式蝕刻制程。

9.?根據權利要求1所述的畫素結構的制造方法，其特征在于：其該間隙的寬度為小于0.3μm。

10.?根據權利要求1所述的畫素結構的制造方法，其特征在于：更包括：

在形成該第一圖案化光阻層的同時形成一第二圖案化光阻層，該第二圖案化光阻層具有由該第二圖案化光阻層的側面往內部延伸一段距離的一第二邊緣區；以及

對該第一導體層進行該等向性移除制程，更以該第二圖案化光阻層為罩幕，以移除位于該第二邊緣區下方的該第一導體層的一第三部分，以暴露出該底層的一第三表面區，其中該第二表面區與該第三表面區分別位于該第一表面的相對兩側，使得該第一圖案化導體層與該第二圖案化導體層之間的該間隙包括一第一間隙以及一第二間隙，該第一間隙暴露出該第二表面區且該第二間隙暴露出該第三表面區。

11.?根據權利要求10所述的畫素結構的制造方法，其特征在于：其中該第一間隙的寬度為小于0.3μm，該第二間隙的寬度為小于0.3μm。