[發(fā)明專利]外延層的形成方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210550520.0
• 申請日: 2012-12-18
• 公開（公告）號: CN103871849A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉繼全
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/306
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 劉昌榮

1.外延層的形成方法，其特征在于，步驟包括：

1）在硅襯底上生長一層外延層；

2）對外延層進(jìn)行刻蝕，將外延層中的全部或大部分晶格缺陷刻蝕掉，同時保證外延層在刻蝕后仍有殘留；

3）在刻蝕后的外延層上再生長一層相同材質(zhì)的外延層；

4）對步驟3）新生長的外延層進(jìn)行刻蝕，將最新生長的外延層中的全部或大部分晶格缺陷刻蝕掉，同時保證最新生長的外延層在刻蝕后仍有殘留；

5）重復(fù)步驟3）～4），直至外延層的總厚度達(dá)到所要求的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延包括硅鍺外延、硅鍺碳外延或硅外延。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，采用氣相外延的方式生長外延層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，外延生長條件為：溫度500～1200℃，壓力0.1～760Torr，以H₂為載氣，以硅烷、二氯二氫硅、三氯氫硅、氫化鍺中的至少一種為反應(yīng)物。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任何一項所述的方法，其特征在于，每層外延層的厚度為0.1～5.0μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，步驟2）、4），使用懷特刻蝕溶液刻蝕外延層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，懷特刻蝕時間為1～600秒，刻蝕溫度為5～50攝氏度。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述懷特刻蝕溶液是HNO₃、HAc、H₂CrO₄和H₂O的混合液。