[發明專利]一種用于制備DFB激光器相移光柵的反射鏡裝置及其制備方法無效
| 申請號: | 201210550505.6 | 申請日: | 2012-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN103033862A | 公開(公告)日: | 2013-04-10 |
| 發明(設計)人: | 劉應軍;王任凡;陽紅濤;胡忞遠 | 申請(專利權)人: | 武漢電信器件有限公司 |
| 主分類號: | G02B5/08 | 分類號: | G02B5/08;G02B1/11;G02B5/18;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228 | 代理人: | 張若華 |
| 地址: | 430074 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 制備 dfb 激光器 相移 光柵 反射 裝置 及其 方法 | ||
技術領域
本發明屬于光電子技術領域。具體涉及一種用于制備DFB激光器相移光柵的反射鏡裝置及其制備方法,利用全息曝光方法,制作DFB激光器的光柵結構。
背景技術
DFB激光器(分布式反饋激光器)由于其穩定的動態單縱模和波長溫度特性好等優點,被大量應用于光纖通信系統。影響DFB激光器成品率的最大因素是光譜的雙模問題。光柵作為DFB激光器的選模機構,其類型及質量好壞直接影響成品率。光柵制作一般分為兩種:全息曝光法和E-beam曝光法。光柵類型分為兩種:均勻光柵和相移光柵。由于相移光柵的結構中引入了λ/4相移,能夠很好解決DFB激光器光譜中的雙模問題,可以大大提高DFB激光器芯片的成品率,被廣泛應用于高端DFB激光器制作工藝中。傳統工藝中,全息曝光法只能制作均勻光柵,但制作成本低,制作速度快,一般用于中低端DFB激光器芯片的制作。E-beam曝光是通過電腦控制,可以刻寫任何類型的光柵,但是刻寫速度慢,設備成本高,通常用來制作高端DFB激光器芯片。
發明內容
針對現有技術中存在的問題,本發明所要解決的技術問題為提供一種用于制備DFB激光器相移光柵的反射鏡裝置及其制備方法,既解決了DFB激光器光譜雙模問題,又解決了采用E-beam制作相移光柵成本高,速度慢的問題。
本發明提出一種用于制備DFB激光器相移光柵的反射鏡裝置,包括反射鏡,該反射鏡的反射膜表面具有增透膜,所述的增透膜由多個相間的條形結構構成。
每個條形結構的寬度L1與相鄰條形結構的間距L2之間的比例滿足1:5~5:1。
每個條形結構的寬度L1與相鄰條形結構的間距L2之間的比例滿足1:1。
所述的增透膜的周期為DFB激光器的腔長,該增透膜的周期為條形結構的寬度L1與相鄰條形結構的間距L2之和。
所述的增透膜的厚度為d與增透膜的折射率為n之間的關系滿足其中λs為全息曝光的紫外激光波長,θ為入射角。
所述的增透膜的厚度為100~200nm,增透膜的折射率為1.4~1.5。
本發明提出一種用于制備DFB激光器相移光柵的反射鏡裝置的制備方法,包括以下幾個步驟:
步驟一:在基板上鍍一層反射膜;
步驟二:將反射膜的表面涂敷光刻膠,進行曝光前烘烤;
步驟三:在涂有光刻膠的反射膜上進行光刻曝光,光刻曝光板的形狀為條紋相間的透光部分和遮光部分,將透光部分的光刻膠完全曝光;
步驟四:將曝光后反射鏡放入顯影液中顯影,顯影完成后烘烤;
步驟五:在已烘烤后的光刻膠上蒸鍍增透膜;
步驟六:蒸鍍完成后去除光刻膠,完成反射鏡裝置的制備。
步驟一中所述的反射膜采用TiO2和SiO2的四層膜系(基片/SiO2/TiO2/SiO2/TiO2/空氣),每層膜的光學厚度為75~100nm;步驟二中所述的光刻膠厚度為1~1.5μm,光刻膠為正性光刻膠。
步驟三中所述的透光部分和遮光部分的條形寬度比例滿足1:5~5:1;所述的步驟四中的顯影液為正性光刻膠顯影液。
所述的增透膜的厚度為d與增透膜的折射率為n之間的關系滿足其中λs為全息曝光的紫外激光波長,θ為入射角。
本發明具有的優點在于:
本發明提出一種采用全息曝光方法制備DFB激光器相移光柵的反射鏡裝置,通過在反射鏡上部分區域蒸鍍一層增透膜,引入λ/2光程差改變干涉條紋的明暗線,獲得相移光柵。本發明既解決了DFB激光器光譜雙模問題,又解決了采用E-beam制作相移光柵成本高,速度慢的問題。
通過本發明的反射鏡裝置可以采用全息曝光的方法制作相移光柵。這樣,既具有全息曝光方法的低成本、高產出的優點,又具有相移光柵單模成品率高的特點,適合DFB激光器的批量生產。
附圖說明
圖1表示本發明中用于制備DFB激光器相移光柵的裝置結構示意圖;
圖2表示本發明中用于制備DFB激光器相移光柵的反射鏡裝置的俯視圖;
圖3表示本發明中用于制備DFB激光器相移光柵的反射鏡裝置的側視圖;
圖4表示入射激光經反射鏡不同位置反射后的示意圖;
圖5為計算光程差的示意圖;
圖6表示均勻光柵經過掩埋后的示意圖;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢電信器件有限公司,未經武漢電信器件有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210550505.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:新型石墨提純爐
- 下一篇:蒸汽遞送容器和在容器內提供可汽化源材料的方法





