[發明專利]一種QFN封裝器件的制造方法

有效

• 申請號: 201210550154.9
• 申請日: 2012-12-17
• 公開（公告）號: CN103021890A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 秦飛;夏國峰;安彤;劉程艷;武偉;朱文輝
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 劉萍

1.一種QFN封裝器件的制造方法，包括以下步驟：

（a）采用曝光顯影方法，在金屬基材下表面形成具有窗口的掩膜材料層；

（b）采用電鍍方法在金屬基材下表面掩膜材料層的窗口中制作外芯片載體和外引腳；

（c）采用電鍍或者化學鍍方法在外芯片載體和外引腳的表面制作第一金屬材料層；

（d）移除金屬基材下表面的掩膜材料層，形成凹槽；

（e）采用注塑或者絲網印刷方法在外芯片載體與外引腳之間、外引腳與外引腳之間的凹槽中配置絕緣填充材料；

（f）采用機械磨削方法減薄金屬基材的厚度；

（g）采用電鍍或化學鍍方法在減薄后的金屬基材上表面制作第二金屬材料層；

（h）采用刀片切割、激光切割或者水刀切割方法切割減薄后的金屬基材，形成具有臺階結構的芯片載體和引腳，芯片載體包括內芯片載體和外芯片載體，引腳包括內引腳和外引腳；

（i）通過粘貼材料將IC芯片配置于內芯片載體或內引腳表面的第二金屬材料層上；

（j）IC芯片上的多個鍵合焊盤通過金屬導線分別連接至內芯片載體和內引腳配置的第二金屬材料層；

（k）采用注塑方法用塑封材料包覆密封IC芯片、粘貼材料、金屬導線、內芯片載體、內引腳和第二金屬材料層，塑封后進行烘烤后固化；

（l）分離形成獨立的單個封裝件。

2.根據權利要求1所述的QFN封裝器件的制造方法，其特征在于，采用電鍍方法制作的外引腳和外芯片載體的厚度范圍為0.05mm-0.15mm。

3.根據權利要求1所述的QFN封裝器件的制造方法，其特征在于，采用切割方法形成的內芯片載體和內引腳的厚度范圍為0.05mm-0.15mm。

4.根據權利要求1所述的QFN封裝器件的制造方法，其特征在于，采用絕緣填充材料和塑封材料進行二次包覆密封。

5.根據權利要求1所述的QFN封裝器件的制造方法，其特征在于，采用刀片切割、激光切割或者水刀切割方法切割分離形成單個封裝件，且僅切割塑封材料和絕緣填充材料。