[發(fā)明專利]一種太陽能電池光吸收層薄膜的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210550143.0
• 申請(qǐng)日: 2012-12-18
• 公開（公告）號(hào): CN103014624A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 萬磊;徐進(jìn)章;鄒鵬;孟明明;王仁寶;毛小麗;牛海紅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C14/06
• 分類號(hào): C23C14/06;C23C14/24;H01L31/18;H01L31/032
• 代理公司: 安徽省合肥新安專利代理有限責(zé)任公司 34101
• 代理人: 吳啟運(yùn)

1.一種太陽能電池光吸收層薄膜的制備方法，其特征在于按以下步驟操作：

將鍍鉬玻璃襯底置于多源熱蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)的襯底上并抽真空至5×10^-4Pa，將銅、銦、鎵和硒的束源爐溫度分別升至1100-1250℃、900-1000℃、950-1100℃以及200-300℃并分別保持恒定；將襯底溫度升溫至250-450℃并保持恒定，首先向鍍鉬玻璃襯底表面蒸鍍銦、鎵和硒10-15分鐘；銦、鎵和硒蒸鍍結(jié)束后將襯底溫度升溫至450-650℃并在升溫的同時(shí)蒸鍍銅和硒12-16分鐘；銅和硒蒸鍍結(jié)束后保持襯底溫度不變?cè)僬翦冦煛㈡壓臀?-6分鐘；銦、鎵和硒蒸鍍結(jié)束后將襯底溫度降至室溫得到CIGS薄膜。

2.一種太陽能電池光吸收層薄膜的制備方法，包括共蒸和硫化各單元過程，其特征在于：

所述共蒸是將鍍鉬玻璃襯底置于多源熱蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)的襯底上并抽真空至5×10^-4Pa，將銅、銦、鎵和硒的束源爐溫度分別升至1100-1250℃、900-1000℃、950-1100℃以及200-300℃并保持恒定；將襯底溫度升溫至250-450℃并保持恒定，首先向鍍鉬玻璃襯底表面蒸鍍銦、鎵和硒10-15分鐘；銦、鎵和硒蒸鍍結(jié)束后將襯底溫度升溫至450-650℃并在升溫的同時(shí)蒸鍍銅和硒12-16分鐘；銅和硒蒸鍍結(jié)束后保持襯底溫度不變?cè)僬翦冦煛㈡壓臀?-6分鐘；銦、鎵和硒蒸鍍結(jié)束后將襯底溫度降至室溫得到CIGS薄膜；

所述硫化是將所述CIGS薄膜置于在快速升溫爐的襯底上，爐內(nèi)抽真空至5×10^-1Pa，向爐內(nèi)通入氬氣和硫化氫氣體，氬氣和硫化氫氣體的總流量300-400sccm；通過鹵鎢燈輻照使溫度升至350-550℃并保溫5-60分鐘，隨后降至室溫，得到CIGSSe薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于：

氬氣和硫化氫氣體的流量比為20-50：1。