[發(fā)明專利]一種高頻水平雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210550141.1
• 申請(qǐng)日: 2012-12-17
• 公開（公告）號(hào): CN103871883A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 聞?wù)h;馬萬(wàn)里;趙文魁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/324
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，具體涉及一種高頻水平雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件的制造方法。

背景技術(shù)

RFLDMOS，即高頻水平雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體，其不但具有良好的電學(xué)特性，而且可以與現(xiàn)有CMOS集成電路工藝完全兼容，易于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模射頻集成電路。目前，RFLDMOS被廣泛應(yīng)用于手機(jī)基站、廣播電視和雷達(dá)等領(lǐng)域。

在制造RFLDMOS的過(guò)程中，傳統(tǒng)工藝?yán)玫蛪夯瘜W(xué)氣相沉積方法來(lái)制作溝道區(qū)域內(nèi)外延層表面的第一氧化層，使得所述第一氧化層厚度較厚，通常為1500A左右，進(jìn)而使場(chǎng)板和多晶硅層之間的橫向距離以及場(chǎng)板與有源區(qū)的縱向距離較大，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件耐壓性和頻率特性較差。現(xiàn)有技術(shù)，可以通過(guò)熱氧化工藝形成所述第一氧化層，即生成熱氧化層代替?zhèn)鹘y(tǒng)工藝的第一氧化層，從而使氧化層的厚度降到150A左右。

本申請(qǐng)發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)實(shí)施例技術(shù)方案的過(guò)程中，至少發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中存在如下技術(shù)問(wèn)題：

現(xiàn)有技術(shù)中，由于源區(qū)和漏區(qū)的注入，使得半導(dǎo)體器件存在注入損傷的技術(shù)問(wèn)題；

進(jìn)而，由于存在注入損傷，氧化層上原子分布雜亂、質(zhì)地疏松，甚至?xí)霈F(xiàn)空洞，使得在接下來(lái)沉積金屬的過(guò)程中，所述氧化層不能阻止金屬和多晶硅發(fā)生反應(yīng)，這樣，源區(qū)或者多晶硅層內(nèi)壁會(huì)留有金屬硅化物，使得半導(dǎo)體器件在工作中存在短路的技術(shù)問(wèn)題，從而導(dǎo)致器件失效。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種高頻水平雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件的制造方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中由于源區(qū)和漏區(qū)的注入，半導(dǎo)體器件會(huì)存在注入損傷的技術(shù)問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了修復(fù)注入損傷，使半導(dǎo)體器件能夠正常工作的技術(shù)效果。

一種高頻水平雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

在完成刻蝕柵氧化層之后的第一區(qū)域溝道和第三區(qū)域溝道內(nèi)生長(zhǎng)熱氧化層，其中，所述第一區(qū)域溝道和所述第三區(qū)域溝道形成于外延層上；

通過(guò)對(duì)所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域注入符合第一劑量的第一離子，以形成源區(qū)和漏區(qū)；

往置放有所述半導(dǎo)體器件的加工爐中通入符合第一預(yù)設(shè)條件的混合氣體，以對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行第一退火處理，使得在形成所述源區(qū)和漏區(qū)過(guò)程中對(duì)所述熱氧化層造成的損傷得到修復(fù)。

進(jìn)一步的，在所述在第一區(qū)域溝道和第三區(qū)域溝道內(nèi)生長(zhǎng)熱氧化層之前，所述方法還包括：

在多晶硅層表面生成第一阻擋層，其中，所述多晶硅層覆蓋于由所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和所述第三區(qū)域構(gòu)成的所述外延層上；

對(duì)所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域中的所述多晶硅層和所述第一阻擋層進(jìn)行刻蝕，形成對(duì)應(yīng)所述第一區(qū)域中的所述第一區(qū)域溝道和對(duì)應(yīng)所述第三區(qū)域中的所述第三區(qū)域溝道，使得所述第二區(qū)域?qū)?yīng)的所述多晶硅層和所述第一阻擋層得以保留；

對(duì)所述第一區(qū)域溝道和所述第三區(qū)域溝道內(nèi)的所述柵氧化層進(jìn)行刻蝕。

進(jìn)一步的，在所述往置放有所述半導(dǎo)體器件的加工爐中通入符合第一預(yù)設(shè)條件的混合氣體之后，所述方法還包括：

對(duì)所述第二區(qū)域中的所述第一阻擋層進(jìn)行刻蝕；

在所述第二區(qū)域中的所述多晶硅層表面沉積第一金屬；

對(duì)置放于所述加工爐中的所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行符合第二預(yù)設(shè)條件的第二退火處理，以形成金屬硅化物；

清除所述多晶硅層表面未反應(yīng)的所述第一金屬。

進(jìn)一步的，在所述清除所述多晶硅層表面未反應(yīng)的所述第一金屬之后，所述方法還包括：

對(duì)置放于所述加工爐中的所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行符合第三預(yù)設(shè)條件的第三退火處理；

在所述第一區(qū)域溝道和所述第三區(qū)域溝道內(nèi)的熱氧化層表面以及所述第二區(qū)域中的所述金屬硅化物表面生成第二阻擋層；

在所述第二阻擋層表面沉積第二金屬，以形成場(chǎng)板層。

進(jìn)一步的，在所述在多晶硅層表面生成第一阻擋層之前，所述方法還包括：

在所述外延層表面生長(zhǎng)所述柵氧化層；

在所述柵氧化層表面沉積所述多晶硅層。

進(jìn)一步的，在所述對(duì)所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域中的所述多晶硅層和所述第一阻擋層進(jìn)行刻蝕之后，所述方法還包括：

通過(guò)對(duì)所述第一區(qū)域注入符合第二劑量的第二離子，以形成阱；

對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行推阱處理，以使所述阱達(dá)到預(yù)設(shè)結(jié)深。

進(jìn)一步的，所述第一預(yù)設(shè)條件具體為：1個(gè)大氣壓下，通入速度為2~10升/分鐘，通入時(shí)間為30~60分鐘。

進(jìn)一步的，所述混合氣體為氣體體積比為1∶1的氫氣和氧氣的混合物。

進(jìn)一步的，所述第一金屬具體為鈦或鈷或鎳。