[發(fā)明專利]像素單元、像素陣列、圖像傳感器以及電子產(chǎn)品有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210549888.5 | 申請(qǐng)日: | 2012-12-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103066085B | 公開(公告)日: | 2017-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 顧學(xué)強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海集成電路研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司: | 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吳世華,林彥之 |
| 地址: | 201210 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 像素 單元 陣列 圖像傳感器 以及 電子產(chǎn)品 | ||
1.一種像素單元,其特征在于,包括:
感光層,包括:
感光元件,位于襯底上,用于收集入射光進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換得到感光電信號(hào);
開關(guān)器件,位于所述襯底上,用于輸出對(duì)所述感光元件的控制信號(hào)以及所述感光電信號(hào);
金屬層,位于所述感光層之上,用于傳輸對(duì)所述感光元件的控制信號(hào)以及將所述感光電信號(hào)輸出到外圍處理電路;所述金屬層包括一具有斜面的子金屬層,用于改變所述入射光的傳輸路徑,以將所述入射光聚集到所述感光元件的感光區(qū)域;
入射光聚集部件,用于改變所述入射光的傳輸路徑,以將所述入射光聚集到所述感光元件的感光區(qū)域;
其中,所述入射光聚集部件包括:
入射光反射單元,用于通過反射初次改變所述入射光的傳輸路徑,以使所述入射光射向所述感光元件的感光區(qū)域,所述入射光反射單元為一隔離環(huán),位于所述金屬層中頂層子金屬層之上表面;
聚光單元,用于改變所述入射光的傳輸路徑,以將所述入射光聚集到所述感光元件的感光區(qū)域,所述聚光單元設(shè)置在金屬層中垂直方向上相鄰的兩個(gè)子金屬層之間,以覆蓋所述感光元件的位置上,所述聚光單元為一微透鏡;
其中,隔離環(huán)將斜入射光反射進(jìn)入微透鏡,金屬層斜面將垂直入射光反射進(jìn)入微透鏡,并由微透鏡將反射光再次聚焦、折射,實(shí)現(xiàn)對(duì)感光元件以外區(qū)域光線的有效收集。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元,其特征在于,所述開關(guān)器件被所述金屬層所覆蓋。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元,其特征在于,所述隔離環(huán)的環(huán)體為介質(zhì)材料,環(huán)腔中填有可反射入射光的金屬。
4.一種像素單元的形成方法,其特征在于,包括:
在襯底上形成感光元件以及開關(guān)器件,以形成感光層,其中,所述感光元件用于收集入射光進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換得到感光電信號(hào),所述開關(guān)器件用于輸出對(duì)所述感光元件的控制信號(hào)以及所述感光電信號(hào);
在所述感光層之上形成金屬層,以傳輸對(duì)所述感光元件的控制信號(hào)以及將所述感光電信號(hào)輸出到外圍處理電路;在所述感光層之上形成金屬層時(shí),使所述金屬層中包括具有斜面的子金屬層,用于通過反射再次改變所述入射光的傳輸路徑,以將所述入射光聚集到所述感光元件的感光區(qū)域;
在入射光的傳輸?shù)剿龈泄庠系穆窂缴闲纬扇肷涔饩奂考杂糜诟淖兯鋈肷涔獾膫鬏斅窂剑瑢⑺鋈肷涔饩奂剿龈泄庠母泄鈪^(qū)域;
其中,形成入射光聚集部件時(shí),在入射光的傳輸?shù)剿龈泄庠系穆窂缴希ㄟ^在金屬層中垂直方向上相鄰的兩個(gè)子金屬層之間,以覆蓋所述感光元件的位置上形成一聚光單元,改變所述入射光的傳輸路徑,并將所述入射光聚集到所述感光元件的感光區(qū)域,所述聚光單元為一微透鏡;
其中,在形成入射光聚集部件時(shí),形成一入射光反射單元,用于通過反射初次改變所述入射光的傳輸路徑,以使所述入射光射向所述感光元件的感光區(qū)域,在形成入射光反射單元時(shí),在所述金屬層中頂層子金屬層上邊面沉積介質(zhì)層,并對(duì)該介質(zhì)層進(jìn)行光刻和刻蝕形成一環(huán)體,并在該環(huán)體的環(huán)腔中填充可反射入射光的金屬,以形成一隔離環(huán);
其中,子金屬層斜面的角度根據(jù)反射面到微透鏡的距離來調(diào)節(jié),并通過調(diào)節(jié)刻蝕菜單中反應(yīng)聚合物的成分比來調(diào)節(jié),以保證反射光線能到達(dá)微透鏡的表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,在所述感光層之上形成金屬層時(shí),使所述開關(guān)器件被所述金屬層所覆蓋。
6.一種像素陣列,其特征在于,包括權(quán)利要求1~3任意所述的像素單元。
7.一種圖像傳感器,其特征在于,包括權(quán)利要求6所述的像素陣列。
8.一種電子產(chǎn)品,其特征在于,包括權(quán)利要求7所述的圖像傳感器。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





