[發明專利]一種基于太赫茲波偽熱光源的成像裝置

無效

• 申請號: 201210548893.4
• 申請日: 2012-12-17
• 公開（公告）號: CN102998261A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 孫博
• 申請（專利權）人: 西北大學
• 主分類號: G01N21/17
• 分類號: G01N21/17
• 代理公司: 西安恒泰知識產權代理事務所 61216
• 代理人: 李鄭建

1.一種基于太赫茲波偽熱光源的成像裝置，其特征在于，包括太赫茲波參量振蕩器（1），太赫茲波聚焦透鏡（2），旋轉的毛面硅片（3），太赫茲波準直透鏡（4），太赫茲波分束器（5），太赫茲透射光路系統和太赫茲反射光路系統，以及符合測量裝置（12）；其中：

所述毛面硅片（3）置于太赫茲波聚焦透鏡（2）的焦點附近，毛面硅片（3）到太赫茲波準直透鏡（4）的距離為太赫茲波準直透鏡（4）的焦距長度；

所述的太赫茲透射光路系統由待成像物體（6），太赫茲波收集透鏡（7），第一太赫茲衰減片（8）和第一肖特基勢壘光電二極管（9）組成；其中，第一肖特基勢壘光電二極管（9）置于太赫茲波收集透鏡（7）的焦點上；第一太赫茲衰減片（8）置于太赫茲波收集透鏡（7）和第一肖特基勢壘光電二極管（9）之間；

所述的太赫茲反射光路系統由第二太赫茲衰減片（10）和第二肖特基勢壘光電二極管（11）組成；其中，第二肖特基勢壘光電二極管（11）做空間平面成像掃描；第一肖特基勢壘光電二極管（9）和第二肖特基勢壘光電二極管（11）連接于符合測量裝置（12）。

2.如權利要求1所述的基于太赫茲波偽熱光源的成像裝置，其特征在于，所述的太赫茲波參量振蕩器（1）的工作介質為MgO:LiNbO₃晶體或LiNbO₃晶體。

3.如權利要求1所述的基于太赫茲波偽熱光源的成像裝置，其特征在于，所述毛面硅片（3）采用高電阻率硅制成。

4.如權利要求1所述的基于太赫茲波偽熱光源的成像裝置，其特征在于，所述太赫茲波分束器（5）采用雙面拋光的高電阻率硅制成。

5.如權利要求1所述的基于太赫茲波偽熱光源的成像裝置，其特征在于，所述第一、第二肖特基勢壘光電二極管（9，11）是工作在太赫茲波波段的肖特基勢壘光電二極管。

6.如權利要求1所述的基于太赫茲波偽熱光源的成像裝置，其特征在于，所述的太赫茲波聚焦透鏡（2）、太赫茲波準直透鏡（4）和太赫茲波收集透鏡（7）均由高密度白色聚乙烯或TPX制成。

7.如權利要求1所述的基于太赫茲波偽熱光源的成像裝置，其特征在于，所述的符合測量裝置（12）包括時幅轉換儀和多通道分析儀。