[發明專利]一種雙平面型開放式磁共振成像超導磁體系統

有效

• 申請號: 201210548653.4
• 申請日: 2012-12-17
• 公開（公告）號: CN103035352A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 倪志鵬;李蘭凱;王秋良;嚴陸光;王暉;許建益
• 申請（專利權）人: 中國科學院電工研究所
• 主分類號: H01F6/00
• 分類號: H01F6/00;H01F6/04;H01F6/06;G01R33/3815
• 代理公司: 北京科迪生專利代理有限責任公司 11251
• 代理人: 關玲

1.一種雙平面型開放式磁共振成像超導磁體系統，其特征在于，所述的超導磁體系統主要由超導主線圈（6）、超導屏蔽線圈（7）、上低溫容器（1）、下低溫容器（2）、磁場矯正鐵環（15）、勻場鐵片（16）、室溫勻場線圈（17）、梯度線圈（18）、射頻線圈（19），以及制冷機（20）組成；所述的超導主線圈（6）由三對同軸的螺線管線圈組成；所述的超導屏蔽線圈（7）由一對同軸螺線管線圈組成；超導主線圈（6）和超導屏蔽線圈（7）均以中心軸（4）為對稱軸；所述的上低溫容器（1）和下低溫容器（2）內均安裝有所述的超導主線圈（6）和超導屏蔽線圈（7），所述的超導主線圈（6）和超導屏蔽線圈（7）關于兩個低溫容器的中心對稱平面（3）對稱布置；兩個低溫容器的中心對稱平面（3）和所述的對稱軸（4）垂直；上低溫容器（1）和下低溫容器（2）靠近中心對稱平面（3）的真空容器（14）的表面開有凹槽（22），磁場矯正鐵環（15）、勻場鐵片（16）、室溫勻場線圈（17）、梯度線圈（18）和射頻線圈（19）安裝在所述的凹槽（22）內；上、下低溫容器（1、2）遠離中心對稱平面的真空容器（14）的表面的凹槽（23）中裝有勻場鐵片（16）；上低溫容器（1）遠離中心對稱平面的真空容器（14）的表面的凹槽（23）中心位置處安裝制冷機（20）。

2.按照權利要求1所述的雙平面型開放式磁共振成像超導磁體系統，其特征在于，所述的勻場鐵片（16）安裝在所述的上低溫容器（1）和下低溫容器（2）靠近中心對稱平面（3）的真空容器（14）的表面的凹槽（22）半徑較小處；在勻場鐵片（16）向兩個低溫容器的中心對稱平面（3）方向上依次安裝室溫勻場線圈（17）、梯度線圈（18）和射頻線圈（19）；在所述的凹槽（22）半徑最大處放置磁場矯正鐵環（15）。

3.按照權利要求2所述的雙平面型開放式磁共振成像超導磁體系統，其特征在于，所述的勻場鐵片（16）為正方形薄片組，正方形薄片組分散地粘貼在所述的上低溫容器（1）和下低溫容器（2）靠近中心對稱平面（3）的真空容器（14）的表面的凹槽（22）半徑較小處。

4.按照權利要求1所述的雙平面型開放式磁共振成像超導磁體系統，其特征在于，所述的超導主線圈（6）的三對螺線管線圈中，半徑最大的一對螺線管線圈布置在靠近兩個低溫容器的中心對稱平面的位置，半徑較小的一對螺線管線圈布置在距離兩個低溫容器的中心對稱平面稍遠的位置，半徑最小的一對螺線管線圈距離兩個低溫容器的中心對稱平面最遠，三對螺線管線圈在垂直方向相互之間沒有重疊；三對所述的螺線管線圈采用一根超導線連續繞制在超導主線圈骨架（8）上，呈現階梯式形狀。

5.按照權利要求4所述的雙平面型開放式磁共振成像超導磁體系統，其特征在于，所述的超導主線圈骨架（8）和低溫容器的液氦罐（12）在重疊處焊接連接。

6.按照權利要求1或5所述的雙平面型開放式磁共振成像超導磁體系統，其特征在于，所述的超導屏蔽線圈（7）繞制在獨立的超導屏蔽線圈骨架（9）上；所述的超導主線圈骨架（8）和超導屏蔽線圈骨架（9）之間通過定位連接件（10）連接；上低溫容器（1）和下低溫容器（2）在圓周方向每隔45度安裝一個定位連接件（10）。

7.按照權利要求6所述的雙平面型開放式磁共振成像超導磁體系統，其特征在于，所述的定位連接件（10）的一端安裝在超導主線圈骨架（8）上，定位連接件（10）的另一端安裝在超導屏蔽線圈骨架（9）上，通過調節定位連接件（10）上的調節螺釘（11），調整超導主線圈骨架（8）和超導屏蔽線圈骨架（9）在之間的垂直間距，以補償由于超導主線圈（6）和超導屏蔽線圈（7）繞制誤差所帶來的磁場不均勻分量的影響。

8.按照權利要求1所述的雙平面型開放式磁共振成像超導磁體系統，其特征在于，所述的制冷機（20）的制冷功率大于所述的雙平面型開放式磁共振成像超導磁體系統的漏熱，實現液氦的零揮發。