[發(fā)明專利]一種雙平面型開放式磁共振成像超導(dǎo)磁體系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210548653.4
• 申請日: 2012-12-17
• 公開（公告）號(hào): CN103035352A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 倪志鵬;李蘭凱;王秋良;嚴(yán)陸光;王暉;許建益
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院電工研究所
• 主分類號(hào): H01F6/00
• 分類號(hào): H01F6/00;H01F6/04;H01F6/06;G01R33/3815
• 代理公司: 北京科迪生專利代理有限責(zé)任公司 11251
• 代理人: 關(guān)玲

1.一種雙平面型開放式磁共振成像超導(dǎo)磁體系統(tǒng)，其特征在于，所述的超導(dǎo)磁體系統(tǒng)主要由超導(dǎo)主線圈（6）、超導(dǎo)屏蔽線圈（7）、上低溫容器（1）、下低溫容器（2）、磁場矯正鐵環(huán)（15）、勻場鐵片（16）、室溫勻場線圈（17）、梯度線圈（18）、射頻線圈（19），以及制冷機(jī)（20）組成；所述的超導(dǎo)主線圈（6）由三對同軸的螺線管線圈組成；所述的超導(dǎo)屏蔽線圈（7）由一對同軸螺線管線圈組成；超導(dǎo)主線圈（6）和超導(dǎo)屏蔽線圈（7）均以中心軸（4）為對稱軸；所述的上低溫容器（1）和下低溫容器（2）內(nèi)均安裝有所述的超導(dǎo)主線圈（6）和超導(dǎo)屏蔽線圈（7），所述的超導(dǎo)主線圈（6）和超導(dǎo)屏蔽線圈（7）關(guān)于兩個(gè)低溫容器的中心對稱平面（3）對稱布置；兩個(gè)低溫容器的中心對稱平面（3）和所述的對稱軸（4）垂直；上低溫容器（1）和下低溫容器（2）靠近中心對稱平面（3）的真空容器（14）的表面開有凹槽（22），磁場矯正鐵環(huán)（15）、勻場鐵片（16）、室溫勻場線圈（17）、梯度線圈（18）和射頻線圈（19）安裝在所述的凹槽（22）內(nèi)；上、下低溫容器（1、2）遠(yuǎn)離中心對稱平面的真空容器（14）的表面的凹槽（23）中裝有勻場鐵片（16）；上低溫容器（1）遠(yuǎn)離中心對稱平面的真空容器（14）的表面的凹槽（23）中心位置處安裝制冷機(jī)（20）。

2.按照權(quán)利要求1所述的雙平面型開放式磁共振成像超導(dǎo)磁體系統(tǒng)，其特征在于，所述的勻場鐵片（16）安裝在所述的上低溫容器（1）和下低溫容器（2）靠近中心對稱平面（3）的真空容器（14）的表面的凹槽（22）半徑較小處；在勻場鐵片（16）向兩個(gè)低溫容器的中心對稱平面（3）方向上依次安裝室溫勻場線圈（17）、梯度線圈（18）和射頻線圈（19）；在所述的凹槽（22）半徑最大處放置磁場矯正鐵環(huán)（15）。

3.按照權(quán)利要求2所述的雙平面型開放式磁共振成像超導(dǎo)磁體系統(tǒng)，其特征在于，所述的勻場鐵片（16）為正方形薄片組，正方形薄片組分散地粘貼在所述的上低溫容器（1）和下低溫容器（2）靠近中心對稱平面（3）的真空容器（14）的表面的凹槽（22）半徑較小處。

4.按照權(quán)利要求1所述的雙平面型開放式磁共振成像超導(dǎo)磁體系統(tǒng)，其特征在于，所述的超導(dǎo)主線圈（6）的三對螺線管線圈中，半徑最大的一對螺線管線圈布置在靠近兩個(gè)低溫容器的中心對稱平面的位置，半徑較小的一對螺線管線圈布置在距離兩個(gè)低溫容器的中心對稱平面稍遠(yuǎn)的位置，半徑最小的一對螺線管線圈距離兩個(gè)低溫容器的中心對稱平面最遠(yuǎn)，三對螺線管線圈在垂直方向相互之間沒有重疊；三對所述的螺線管線圈采用一根超導(dǎo)線連續(xù)繞制在超導(dǎo)主線圈骨架（8）上，呈現(xiàn)階梯式形狀。

5.按照權(quán)利要求4所述的雙平面型開放式磁共振成像超導(dǎo)磁體系統(tǒng)，其特征在于，所述的超導(dǎo)主線圈骨架（8）和低溫容器的液氦罐（12）在重疊處焊接連接。

6.按照權(quán)利要求1或5所述的雙平面型開放式磁共振成像超導(dǎo)磁體系統(tǒng)，其特征在于，所述的超導(dǎo)屏蔽線圈（7）繞制在獨(dú)立的超導(dǎo)屏蔽線圈骨架（9）上；所述的超導(dǎo)主線圈骨架（8）和超導(dǎo)屏蔽線圈骨架（9）之間通過定位連接件（10）連接；上低溫容器（1）和下低溫容器（2）在圓周方向每隔45度安裝一個(gè)定位連接件（10）。

7.按照權(quán)利要求6所述的雙平面型開放式磁共振成像超導(dǎo)磁體系統(tǒng)，其特征在于，所述的定位連接件（10）的一端安裝在超導(dǎo)主線圈骨架（8）上，定位連接件（10）的另一端安裝在超導(dǎo)屏蔽線圈骨架（9）上，通過調(diào)節(jié)定位連接件（10）上的調(diào)節(jié)螺釘（11），調(diào)整超導(dǎo)主線圈骨架（8）和超導(dǎo)屏蔽線圈骨架（9）在之間的垂直間距，以補(bǔ)償由于超導(dǎo)主線圈（6）和超導(dǎo)屏蔽線圈（7）繞制誤差所帶來的磁場不均勻分量的影響。

8.按照權(quán)利要求1所述的雙平面型開放式磁共振成像超導(dǎo)磁體系統(tǒng)，其特征在于，所述的制冷機(jī)（20）的制冷功率大于所述的雙平面型開放式磁共振成像超導(dǎo)磁體系統(tǒng)的漏熱，實(shí)現(xiàn)液氦的零揮發(fā)。