[發明專利]一種再布線AAQFN封裝器件的制造方法

無效

• 申請號: 201210548640.7
• 申請日: 2012-12-17
• 公開（公告）號: CN103021889A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 秦飛;夏國峰;安彤;劉程艷;武偉;朱文輝
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 劉萍

1.一種再布線AAQFN封裝器件的制造方法，其特征在于，再布線AAQFN封裝器件包括：

多個引腳在封裝器件中呈面陣排列；

絕緣填充材料配置于引腳與引腳之間；

IC芯片通過粘貼材料配置于封裝器件的中心位置；

第一金屬材料層圍繞IC芯片排列；

引腳通過再布線層實現與第一金屬材料層的連接；

第二金屬材料層配置于引腳的下表面；

IC芯片通過金屬導線連接至第一金屬材料層；

塑封材料包覆密封上述IC芯片、粘貼材料、金屬導線、第一金屬材料層和再布線層，僅僅暴露出配置于引腳下表面的第二金屬材料層。

該方法，包括以下步驟：

（a）采用曝光顯影方法，在金屬基材上表面形成具有窗口的掩膜材料層；

（b）以具有窗口的掩膜材料層作為抗蝕層，對金屬基材上表面進行蝕刻，形成引腳和凹槽，或以具有窗口的掩膜材料層作為抗鍍層，對金屬基材上表面進行電鍍，形成引腳和凹槽；

（c）移除配置于金屬基材上表面的掩膜材料層；

（d）采用注塑或者絲網印刷方法在引腳之間的凹槽中配置絕緣填充材料；

（e）采用曝光顯影方法，在絕緣填充材料和引腳的表面位置制作具有窗口的掩膜材料層；

（f）依次采用化學鍍和電鍍方法在掩膜材料層的窗口中制作再布線層；

（g）移除配置于絕緣填充材料和引腳表面的掩膜材料層；

（h）采用電鍍或化學鍍方法在再布線層的表面部分配置第一金屬材料層；

（i）通過粘貼材料將IC芯片配置于封裝器件的中心位置；

（j）IC芯片通過金屬導線連接至第一金屬材料層；

（k）采用注塑方法用塑封材料包覆密封IC芯片、粘貼材料、金屬導線、再布線層和第一金屬材料層，塑封后進行烘烤后固化；

（l）采用機械磨削方法或者蝕刻方法對金屬基材進行減薄，形成獨立的引腳；

（m）采用化學鍍方法在引腳下表面制作第二金屬材料層；

（n）分離形成獨立的單個封裝件。

2.根據權利要求1所述的再布線AAQFN封裝器件的制造方法，其特征在于，經蝕刻方法或者電鍍方法形成的引腳厚度范圍為0.03mm-0.15mm。

3.根據權利要求1所述的再布線AAQFN封裝器件的制造方法，其特征在于，依次采用化學鍍和電鍍方法制作的再布線層的厚度范圍為0.02mm-0.15mm。

4.根據權利要求1所述的再布線AAQFN封裝器件的制造方法，其特征在于，采用刀片切割、激光切割或者水刀切割方法切割分離形成單個封裝件，且僅切割塑封材料和絕緣填充材料。