[發明專利]阿折地平ε晶型物質的制備方法

有效

• 申請號: 201210548448.8
• 申請日: 2012-12-17
• 公開（公告）號: CN103864757A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 杜冠華;呂揚;張麗;于然
• 申請（專利權）人: 北京晶潤宏達醫藥科技有限公司;四川科倫藥業股份有限公司
• 主分類號: C07D401/12
• 分類號: C07D401/12;A61K31/4427;A61P9/12
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 牛利民;武晶晶

1.阿折地平二水合物的ε晶型的制備方法，包括如下步驟：

使用阿折地平甲醇化物樣品在20-45℃、濕度大于75%條件下放置12小時至10天，制備獲得阿折地平的ε晶型樣品。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其中，所述的在20-45℃、濕度大于或等于75%條件下為22-27℃、濕度大于或等于90%條件下，或在35-42℃、濕度大于或等于75%條件下。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其中，所述的在20-45℃、濕度大于或等于75%條件下為在25℃、濕度為95%條件下，或在40℃、濕度為80%條件下。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其中，所述放置12小時至10天為2-8天，更優選地為4-6天，特別優選地為5天。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其中，使用阿折地平甲醇化物樣品在25℃、濕度95%條件下放置5天制備獲得阿折地平的ε晶型樣品。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其中，使用阿折地平甲醇化物樣品在40℃、濕度80%條件下放置5天制備獲得阿折地平的ε晶型樣品。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的制備方法，其中，所述阿折地平二水合物ε晶型，當使用粉末X射線衍射分析時（CuK_α輻射）表現為Height%=100峰位置在2θ=19.5±0.2°或處，并且，在2θ=5.8±0.2°或2θ=12.6±0.2°或2θ=16.0±0.2°或2θ=20.2±0.2°或2θ=23.8±0.2°或和2θ=24.3±0.2°或處存在Height%大于20的衍射峰。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其中，所述阿折地平二水合物ε晶型，當使用粉末X射線衍射分析時（CuK_α輻射），其衍射峰位置分別在2θ（°）±0.2°值或值具有如下表示：

9.根據權利要求8所述的制備方法，其中，所述的阿折地平二水合物ε晶型，其KBr壓片法的紅外吸收光譜在3629、3439、3327、3221、3066、3032、2978、2934、2860、2828、1676、1639、1560、1524、1487、1451、1386、1373、1346、1315、1297、1247、1217、1182、1162、1155、1131、1103、1085、1071、1027、1003、921、905、858、845、824、814、801、790、765、751、744、703、695、677cm^-1±2cm^-1有吸收峰。

10.根據權利要求8所述的制備方法，其中，所述的阿折地平二水合物ε晶型的熔點值為98℃±2℃。