[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210548299.5
• 申請(qǐng)日: 2012-12-17
• 公開（公告）號(hào): CN103165668A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬庫(kù)斯·穆勒;安可·赫琳哈
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: NXP股份有限公司;臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/778
• 分類號(hào): H01L29/778;H01L29/872;H01L29/06;H01L21/335;H01L21/329
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 蔡純

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

包括位于GaN層上的AlGaN層的半導(dǎo)體襯底；

第一接觸，和

第二接觸，

其中，所述AlGaN層的平均厚度在所述第一接觸和所述第二接觸之間變化，用于在所述第一接觸和所述第二接觸之間調(diào)節(jié)所述GaN層中的電子氣的密度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述AlGaN層的上表面的至少一部分包括用于改變所述AlGaN層的平均厚度的多個(gè)凹部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述凹部的密度變化，用于改變所述AlGaN層的平均厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述凹部的深度在所述AlGaN層的局部厚度的30％和100％之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求2-4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中所述凹部排列成規(guī)則陣列。

6.根據(jù)權(quán)利要求2-5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中所述凹部包括凹槽。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中所述AlGaN層在所述第一接觸和所述第二接觸之間的平均厚度T在10nm＜T＜40nm的范圍內(nèi)。

8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，包括具有源極、柵極和漏極的高電子遷移率晶體管，其中所述第一接觸包括所述源極，并且所述第二接觸包括所述漏極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述AlGaN層在所述源極和所述柵極之間的平均厚度大于所述AlGaN層在所述柵極和所述漏極之間的平均厚度。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述AlGaN層的平均厚度從所述柵極至所述漏極增加。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中所述AlGaN層的平均厚度從所述柵極至所述漏極或者線性地增加，或者按照一系列的一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)階增加。

12.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一接觸包括肖特基勢(shì)壘二極管的陽(yáng)極，并且其中所述第二接觸包括所述肖特基勢(shì)壘二極管的陰極。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述AlGaN層的平均厚度從所述陽(yáng)極至所述陰極增加。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中所述AlGaN層的平均厚度從所述陽(yáng)極至所述陰極或者線性地增加，或者按照一系列的一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)階增加。

15.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括：

在襯底上形成GaN層；

在GaN層上形成AlGaN層；

形成該半導(dǎo)體器件的第一接觸和第二接觸；以及

在所述第一接觸和所述第二接觸之間改變所述AlGaN層的平均厚度，用于在所述第一接觸和所述第二接觸之間調(diào)節(jié)所述GaN層中的電子氣的密度。