[發明專利]一種微波法制備銅鋅錫硫薄膜的方法有效
| 申請號: | 201210546605.1 | 申請日: | 2012-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN103050575A | 公開(公告)日: | 2013-04-17 |
| 發明(設計)人: | 劉晶冰;張美娟;汪浩;侯育冬;朱滿康;王如志;張銘;宋雪梅;嚴輝 | 申請(專利權)人: | 北京工業大學 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;C03C17/22 |
| 代理公司: | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人: | 劉萍 |
| 地址: | 100124 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 微波 法制 備銅鋅錫硫 薄膜 方法 | ||
1.一種微波法制備銅鋅錫硫薄膜的方法,其特征在于步驟如下:
1).稱取二水氯化銅、氯化鋅、五水氯化錫和硫脲或硫代乙酰胺之一,其摩爾比為2:1:1:8;
2).在不斷攪拌條件下,在乙二醇中加入二水氯化銅,持續攪拌溶液,待溶質完全溶解后得到淡綠色溶液A;
3).?向溶液液A中加入氯化鋅,持續攪拌,待溶質完全溶解后得到綠色溶液B;
4).向溶液B中加入五水氯化錫,持續攪拌,得到綠色溶液,之后再加入硫脲或硫代乙酰胺之一,溶液由綠色轉變為紅棕色后又慢慢變為無色溶液C;
5).將FTO導電玻璃傾斜置于溶液C中,然后將其置于微波爐,微波工作頻率2.45GHZ,額定輸出功率700W微波20min—?1h,之后隨爐冷卻至室溫;
6).取出薄膜,依次用乙醇和蒸餾水清洗,即制得銅鋅錫硫薄膜。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





