[發明專利]一種導電互聯的方法有效
| 申請號: | 201210546509.7 | 申請日: | 2012-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN103871957B | 公開(公告)日: | 2016-11-30 |
| 發明(設計)人: | 陳征;林劍;崔錚 | 申請(專利權)人: | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 導電 方法 | ||
1.一種導電互聯的方法,其特征在于,包括:
S1、在基底上布置透明氧化物導電層,獲得互不連通的兩導電塊;
S2、在兩導電塊及基底上覆蓋絕緣層;
S3、在對應兩導電塊上方的絕緣層區域制作穿通劑圖案;
S4、加熱處理穿通劑圖案,實現兩導電塊的導電互聯。
2.根據權利要求1所述的導電互聯的方法,其特征在于,還包括,
S5、在制作穿通劑圖案后的絕緣層上印刷半導體層。
3.根據權利要求1所述的導電互聯的方法,其特征在于,所述加熱處理為光波熱處理,所述光波的波長處于350-2000nm的范圍。
4.根據權利要求3所述的導電互聯的方法,其特征在于,所述光波為連續光,且光功率為1-5KW/cm2。
5.根據權利要求3所述的導電互聯的方法,其特征在于,所述光波為脈沖光,且脈寬為100μs-10ms、能量密度為5-100J/cm2。
6.根據權利要求3所述的導電互聯的方法,其特征在于,所述加熱處理時間為0.5?-1小時。
7.根據權利要求1所述的導電互聯的方法,其特征在于,所述制作穿通劑圖案具體為網版印刷、噴墨印刷、氣溶膠噴墨印刷、凹版印刷、膠印、凸版印刷、平版印刷、照相復印、熱轉移印刷、靜電復印中的一種。
8.根據權利要求7所述的導電互聯的方法,其特征在于,所述穿通劑為含銀穿通劑。
9.根據權利要求1所述的導電互聯的方法,其特征在于,所述絕緣層為氧化硅層、氧化鋁層、氮化硅層、氧化鋯層、氧化鉿層、鈦酸鋇層、氧化鈦層、氧化鈮層或者由它們的組合層;兩導電塊上的絕緣層厚度小于300nm;所述覆蓋絕緣層具體為旋涂、滴涂、棒涂、等離子增強化學氣相淀積、原子層淀積、陽極氧化中的一種。
10.根據權利要求1所述的導電互聯的方法,其特征在于,所述透明氧化物導電層由ITO、AZO、FTO或IZO中的一種構成;所述半導體層由ZnO、In2O3、IGZO、IZO、IGO、ZTO、IZTO中的一種構成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





