[發(fā)明專利]刻蝕組合物以及利用其制造半導(dǎo)體器件的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210546406.0
• 申請(qǐng)日: 2012-12-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103160282A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曺成爀;洪權(quán);樸瀅淳;金奎顯;韓智惠;林廷訓(xùn);李珍旭;樸宰完;鄭燦槿
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司;韓國(guó)首爾步瑞株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C09K13/06
• 分類號(hào): C09K13/06;H01L21/02;H01L21/311
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 周曉雨;俞波

1.一種刻蝕組合物，包括：由以下通式1表示的甲硅烷基磷酸酯化合物、磷酸以及去離子水：

[通式1]

其中，R¹選自氫、羥基、取代或未取代的(C₁-C₂₀)烷基、(C₁-C₂₀)烷氧基、(C₂-C₂₀)烯基、(C₃-C₂₀)環(huán)烷基、氨基(C₁-C₂₀)烷基、氨基(C₁-C₁₀)烷基氨基(C₁-C₁₀)烷基、(C₆-C₂₀)芳基、(C₁-C₂₀)烷基羰基、(C₁-C₂₀)烷基羰氧基、以及氰基(C₁-C₁₀)烷基；

其中，R²和R³各自獨(dú)立地選自氫、羥基、取代或未取代的(C₁-C₂₀)烷基、(C₁-C₂₀)烷氧基、(C₂-C₂₀)烯基、(C₃-C₂₀)環(huán)烷基、氨基(C₁-C₂₀)烷基、氨基(C₁-C₁₀)烷基氨基(C₁-C₁₀)烷基、(C₆-C₂₀)芳基、(C₁-C₂₀)烷基羰基、(C₁-C₂₀)烷基羰氧基、氰基(C₁-C₁₀)烷基、以及由以下通式3表示的基團(tuán)：

[通式3]

其中，R⁴和R⁵各自獨(dú)立地選自氫、(C₁-C₁₀)烷基、(C₂-C₁₀)烯基、(C₃-C₂₀)環(huán)烷基、氨基(C₁-C₁₀)烷基、以及被選自鹵素、苯基和環(huán)氧環(huán)己烷中的一個(gè)或更多個(gè)取代基取代的(C₁-C₁₀)烷基；以及

其中，n為1≤n≤4的整數(shù)。

2.如權(quán)利要求1所述的刻蝕組合物，其中，R¹選自氫、(C₁-C₁₀)烷基、(C₂-C₁₀)烯基、(C₃-C₂₀)環(huán)烷基、氨基(C₁-C₁₀)烷基、以及被選自鹵素、苯基和環(huán)氧環(huán)己烷中的一個(gè)或更多個(gè)取代基取代的(C₁-C₁₀)烷基。