[發明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請號： | 201210546053.4 | 申請日： | 2012-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN102998869A | 公開（公告）日： | 2013-03-27 |
| 發明（設計）人： | 張明;李琳;田川;宗志強 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1362 | 分類號： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 陣列 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括基板，設置于所述基板上的柵線和公共電極線，設置于所述柵線和公共電極線上的柵絕緣層，設置于所述柵絕緣層上的有源層，設置于所述有源層上的源極、漏極、數據線和像素電極層，其中，所述源極與所述有源層相接觸，所述漏極與所述有源層相接觸，所述漏極與所述像素電極層相接觸并電連接，其特征在于，
所述源極包含至少一個第一修復線，所述數據線包含至少一個第二修復線，所述柵線、公共電極線、像素電極層中任意一種或兩種以上組合包含至少一個相應的冗余區，以使當所述源極與所述數據線斷開時，所述源極通過所述第一修復線、冗余區以及第二修復線與所述數據線連通。
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述第一修復線與所述冗余區之間形成有過孔，所述第二修復線與所述冗余區之間形成有過孔。
3.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述數據線還包括第三修復線，所述第三修復線位于所述公共電極線的上方，以使當所述數據線與所述公共電極線之間發生靜電擊穿或數據線斷開時，所述數據線通過所述第三修復線傳輸信號。
4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述數據線還包括第四修復線，所述第四修復線位于所述柵線的上方，以使當所述數據線與所述柵線之間發生靜電擊穿或數據線斷開時，所述數據線通過所述第四修復線傳輸信號。
5.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-4中任意一項所述的薄膜晶體管陣列基板。
6.一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成柵線和公共電極線；
在所述柵線和公共電極線上形成柵絕緣層；
在所述柵絕緣層上形成有源層；
在所述有源層上形成包含至少一個第一修復線的源極、漏極、包含至少一個第二修復線的數據線和像素電極層；
其中，所述柵線、公共電極線、像素電極層中任意一種或兩種以上組合包含至少一個相應的冗余區，以使當所述源極與所述數據線斷開時，所述源極通過所述第一修復線、冗余區以及第二修復線與所述數據線連通。
7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括：
在所述第一修復線與所述冗余區之間形成過孔，在所述第二修復線與所述冗余區之間形成過孔。
8.根據權利要求6或7中所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述數據線還包括第三修復線，所述第三修復線位于所述公共電極線的上方，以使當所述數據線與所述公共電極線之間發生靜電擊穿或數據線斷開時，所述數據線通過所述第三修復線傳輸信號。
9.根據權利要求8中所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述數據線還包括第四修復線，所述第四修復線位于所述柵線的上方，以使當所述數據線與所述柵線之間發生靜電擊穿或數據線斷開時，所述數據線通過所述第四修復線傳輸信號。
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