[發明專利]一種基于重疊交錯繞組的平面EMI濾波器

無效

• 申請號: 201210545985.7
• 申請日: 2012-12-15
• 公開（公告）號: CN103065765A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 黃惠芬;鄧良勇
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01F17/04
• 分類號: H01F17/04;H01F27/28
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 蔡茂略

1.一種基于重疊交錯繞組的平面EMI濾波器，其特征在于，包括由E型磁芯（9）和Ι型磁芯（8）構成的閉合磁路，在閉合磁路的中心磁芯上繞有矩形的FR4基板（7），在FR4基板（7）上方，從上到下依次繞第一電感線圈（1）、第二電感線圈（2）、第一地層線圈（3），所述第一電感線圈（1）與第二電感線圈（2）之間設有第一種高介電常數陶瓷介質，第二電感線圈（2）與第一地層線圈（3）之間設有第二種高介電常數陶瓷介質；

在FR4基板（7）下方，與FR4基板上方對稱繞有第二地層線圈（4）、第三電感線圈（5）、第四電感線圈（6），所述第二地層線圈（4）與第三電感線圈（5）之間設有第二種高介電常數陶瓷介質、第三電感線圈（5）與第四電感線圈（6）之間設有第一種高介電常數陶瓷介質；

所述第一電感線圈（1）與第三電感線圈（5）級聯，所述第二電感線圈（2）與第四電感線圈（6）級聯。

2.根據權利要求1所述的一種基于重疊交錯繞組的平面EMI濾波器，其特征在于，還包括第三地層線圈（10）和第四地層線圈（13），所述第三地層線圈（10）位于第一電感線圈（1）上方，且與第一電感線圈（1）之間設有第二種高介電常數陶瓷介質，所述第四地層線圈（13）位于第四電感線圈（6）下方，且與第四電感線圈（6）之間設有第二種高介電常數陶瓷介質。

3.根據權利要求1所述的一種基于重疊交錯繞組的平面EMI濾波器，其特征在于，所述第一電感線圈（1）與第三電感線圈（5）級聯構成第一共模電感，所述第二電感線圈（2）與第四電感線圈（6）級聯構成第二共模電感。

4.根據權利要求1所述的一種基于重疊交錯繞組的平面EMI濾波器，其特征在于，所述第一電感線圈（1）與第二電感線圈（2）之間的第一種高介電常數陶瓷介質構成第一差模電容，所述第三電感線圈（5）與第四電感線圈（6）之間的第一種高介電常數陶瓷介質構成第二差模電容。

5.根據權利要求1所述的一種基于重疊交錯繞組的平面EMI濾波器，其特征在于，所述第一地層線圈（3）與第二電感線圈（2）之間的第二種高介電常數陶瓷介質構成第一共模電容，第二地層線圈（4）與第三電感線圈（5）之間的第二種高介電常數陶瓷介質構成第二共模電容。

6.根據權利要求2所述的一種基于重疊交錯繞組的平面EMI濾波器，其特征在于，所述第三地層線圈（10）與第一電感線圈（1）之間設有第二種高介電常數陶瓷介質構成第三共模電容，所述第四地層線圈（13）與第四電感線圈（6）之間設有第二種高介電常數陶瓷介質構成第四共模電容。

7.根據權利要求1-6任一項所述的一種基于重疊交錯繞組的平面EMI濾波器，其特征在于，所述第一種高介電常數陶瓷介質的相對介電常數為14000，第二種高介電常數陶瓷介質的相對介電常數為78。