[發明專利]單平面環形電容式含水率變送器有效
| 申請號: | 201210545844.5 | 申請日: | 2012-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN103076371A | 公開(公告)日: | 2013-05-01 |
| 發明(設計)人: | 張青 | 申請(專利權)人: | 武漢鋼鐵(集團)公司 |
| 主分類號: | G01N27/22 | 分類號: | G01N27/22 |
| 代理公司: | 北京市德權律師事務所 11302 | 代理人: | 劉麗君 |
| 地址: | 430080 *** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 平面 環形 電容 含水率 變送器 | ||
1.一種單平面環形電容式含水率變送器,其特征在于,包括:單平面環形電容傳感器、振蕩電路、混頻器、整形電路、數字處理單元及溫度傳感器;
所述單平面環形電容傳感器通過所述振蕩電路與所述混頻器連接;
所述混頻器通過所述整形電路與所述數字處理單元連接;
所述溫度傳感器與所述數字處理單元連接。
2.根據權利要求1所述的單平面環形電容式含水率變送器,其特征在于,還包括外殼及底板;
所述外殼與所述底板固定連接形成封閉結構;
所述單平面環形電容傳感器設置在所述底板上部;
所述振蕩電路、混頻器、整形電路及數字處理單元設置在所述外殼內部。
3.根據權利要求2所述的單平面環形電容式含水率變送器,其特征在于,所述振蕩電路及混頻器構成模擬電路層設置在所述底板的上方;
所述整形電路及數字處理單元構成數字電路層設置在所述模擬電路層的上方。
4.根據權利要求3所述的單平面環形電容式含水率變送器,其特征在于,還包括:第一屏蔽層及第二屏蔽層;
所述模擬電路層與所述單平面環形電容傳感器之間設置有第一屏蔽層;
所述數字電路層與所述模擬電路層之間設置有第二屏蔽層。
5.根據權利要求1所述的單平面環形電容式含水率變送器,其特征在于,所述單平面環形電容傳感器包括:圓形板、內銅板及環形外銅板;
所述內銅板及所述外銅板鑲嵌在所述圓形板的下表面,且所述內銅板設置在所述環形外銅板的中間;
所述圓形板的上表面涂有金屬屏蔽層。
6.根據權利要求2所述的單平面環形電容式含水率變送器,其特征在于,所述底板采用陶瓷材料制成。
7.根據權利要求1所述的單平面環形電容式含水率變送器,其特征在于,所述振蕩電路包括本振電路及帶極板振蕩電路;
所述本振電路與所述混頻器連接;
所述帶極板振蕩電路與所述混頻器連接;
所述本振電路與所述帶極板振蕩電路連接。
8.根據權利要求7所述的單平面環形電容式含水率變送器,其特征在于,所述帶極板振蕩電路包括:第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5、第六電容C6、第一三極管Q1、第二三極管Q2、第一電感L1及第二電感L2;
所述第一電容C1的一端與所述第一電感L1連接,另一端接地;
所述第一電阻R1的一端與所述第一電感L1連接,另一端通過所述第二電阻R2接地;
所述第三電阻R3的一端連接在所述第一電阻R1和所述第二電阻R2的公共連接處,另一端依次通過所述第五電容C5、第二電感L2及所述第二電容C2接地;
所述第四電容C4的一端連接在所述第五電容C5與所述第二電感L2的公共連接處,另一端通過所述第三電容C3接地;
所述第一三極管Q1的基極連接在所述第三電阻R3與所述第五電容C5的公共連接處,集電極與所述第一電感L1連接,發射極依次通過所述第四電阻R4及所述第五電阻R5接地;
所述第一三極管Q1的發射極還通過所述第六電容C6接地;
所述第三電容C3與所述第四電容C4的公共連接處與所述第四電阻R4及所述第五電阻R5的公共連處之間通過導線連接;
所述第二三極管Q2的基極與所述第一三極管Q1的發射極連接,集電極與所述第一電感L1連接,發射極與所述混頻器連接;
所述單平面環形電容傳感器的一端與所述第二電感L2及所述第二電容C2的公共連接處連接。
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